Расплавленный оксид

Cтраница 2

Электрометаллургия охватывает способы получения металлов с помощью электролиза. Этим способом получают главным образом легкие металлы - алюминий, натрий и др. - из их расплавленных оксидов или хлоридов. [16]

Триоксид бора вплоть до 1937 г. был известен только в стеклообразном состоянии. Однако его кристаллы все же можно получить при дегидратации метаборной кислоты в тщательно контролируемых условиях или же охлаждением расплавленного оксида под давлением 10 - 15 кбар. Такой каркас, состоящий из колец ВюОю, уже был описан в гл. [17]

Процесс удаления газообразных продуктов сгорания из зоны горения не может происходить независимо от процессов поступления окислителя и горючего, поэтому контроль процесса горения скоростью удаления газообразных продуктов реакции эквивалентен одному из двух перечисленных случаев. Однако при образовании конденсированных продуктов сгорания процесс их удаления из зоны горения может происходить независимо от процесса смешения паров окислителя и горючего вследствие вязкости образующихся расплавленных оксидов. В этом случае процесс стекания оксида может быть при определенных условиях самым медленным и контролировать процесс горения. Таким образом, при образовании конденсированных продуктов сгорания, поступающих к поверхности испаряющегося материала, могут реализоваться все три предельных случая механизма процесса горения. [18]

Электрометаллургия охватывает способы получения металлов с помощью электролиза. Этим способом получают главным образом легкие металлы - алюминий ( см. § 6.11), натрий ( см. § 6.2) и др. - из их расплавленных оксидов или хлоридов. [19]

Электрометаллургия охватывает способы получения металлов с помощью электролиза. Этим способом получают главным образом легкие металлы - алюминий ( см. § 13.11), натрий ( см. § 13.2) и др. - из их расплавленных оксидов или хлоридов. [20]

Электрометаллурги я охватывает способы получения металлов с помощью электролиза. Этим способом получают главным образом легкие металлы - алюминий ( см. § 13.11), натрий ( см. § 13.2) и др. - из их расплавленных оксидов или хлоридов. [23]

Расплавы солей обычно исследуют в интервале температур 500 - 1200 С. Поэтому исследование оксидных расплавов представляет очень сложную экспериментальную задачу. Изучение расплавленных оксидов важно для выяснения структуры стекол, керамики, а также механизма процессов на границе расплавленных металлов со шлаками в металлургии. [24]

Расплавы солей обычно исследуют в интервале 500 - 1200 С. Поэтому исследование оксидных расплавов представляет очень сложную экспериментальную задачу. Изучение расплавленных оксидов важно для выяснения структуры стекол, керамики, а также механизма процессов на границе расплавленных металлов со шлаками в металлургии. [25]

Явление структурообразования было обнаружено даже у неполярных жидкостей, например у жидкого бензола, тетрахло-рида углерода, а также у расплавленных металлов, солей и других соединений. Структуры жидких металлов имеют некоторые общие черты со структурами твердых металлов. Аналогичные явления характерны и для расплавленных оксидов металлов и их солей. [26]

Хлорирование борного ангидрида в присутствии твердого восстановителя. [27]

Расплавленный В203 обладает значительной вязкостью, имеет неизмеримо меньшую удельную поверхность, чем высокодисперсный твердый оксид, вследствие чего ухудшаются условия контакта между газообразным оксидом углерода и борным ангидридом. Твердый восстановитель ( размер частиц 0 1 мм) способствует хорошему контактированию хлора и расплавленного оксида бора. Функцию центра встречи трех компонентов принимает на себя восстановитель с высокоразвитой поверхностью. [28]

Схематическое изображение печи Чохральского для роста монокристаллов Si. [29]

Материал тигля и газ, окружающий расплав, приводят к увеличению фоновых примесей в кристаллах. Например, наиболее распространенными примесями в Si являются углерод ( из графитового тигля) и кислород. Монокристаллы GaAs и фосфида индия ( InP) обычно выращивают методом Чохральского, но расплав изолируется от воздуха слоем расплавленного оксида бора для того, чтобы предотвратить утечку летучих паров аниона. Этот метод роста кристаллов, содержащих летучие компоненты, называется методом Чохральского с жидкостной капсулой. Как и ожидалось, GaAs, выращенный таким методом, содержит загрязняющую примесь бора. [30]

Страницы: 1 2 3