Cтраница 2
Таким образом, становится понятно, почему для оксидов титана, циркония, ниобия и тантала имеет значение фазовый состав оксида. Чем выше энергия кристаллической решетки, тем с большим трудом и при более высоких температурах ( при прочих равных условиях) проходит ее разрушение. В аморфном оксиде энергия связи иона металла значительно ниже, поэтому первый этап вскрытия проходит значительно быстрее и вскрытие проходит при более низких температурах. С этой точки зрения интересным представляется вскрытие гидроксида и оксидов ( а-и - у-форм) алюминия. [16]
Прокаливание, порошков, высушенных при распылении, может вызвать сегрегацию компонентов. Чтобы обойти эту труд-кость, мсжно использовать [24] методику, известкую как разложение испаряющихся растворов. Раствор распыляют и образующийся туман закачивают в вертикальную трубчатую печь с длинной обогреваемой зоной. Продуктом разложения растворов нитрата алюминия при температурах 750 - 950 С является аморфный оксид алюминия. Полученные таким образом порошки обычно аморфны пли представляют собой сильно дефектные кристаллы, но легко превращаются в упорядоченные кристаллы при температурах значительно ниже обычной температуры спекания. [17]
При более высоких температурах образуются аморфно-кристаллические пленки с низкими электрическими характеристиками, Сплошность термических пленок на металлах сохраняется лишь до определенной толщины, при превышении которой возникающие в пленке напряжения вызывают ее растрескивание. Чиело веществ, на которых образуются сплошные ( когерентные, однородные) пленки, весьма ограничено. Прежде всего следует назвать тантал, ниобий, алюминий и кремний. Они образуются в атмосфере сухого кислорода при Г1300н - 1600 К; при окислении во влажном кислороде или парах воды температура может быть понижена до 800 К. Во всех случаях получаются аморфные пленки, имеющие структуру ближнего порядка, сходную со структурой кварцевого стекла. Химическая или топографическая неоднородность кремниевой подложки может вызвать появление в аморфном оксиде кристаллической фазы, имеющей структуру а-кристобали-та, присутствие которой ухудшает электрические свойства пленки и может вызвать нарушение ее сплошности. [18]