Летучий оксид

Cтраница 1

Летучий оксид V2O5 может испариться, если он находится в свободном состоянии, но при наличии других зольных отложений образуется серия ванадатов с упругостью пара ниже, чем пара VaOs, и поэтому ванадий остается в зольных отложениях. [1]

Летучие оксиды рутения и осмия очень ядовиты. [2]

Кроме летучих оксидов, образуются карбиды. [3]

He летучих оксидов образуется тем больше, чем более окислительной является атмосфера в зоне обжига. С оксидами тяжелых металлов они дают совсем нелетучие арсенаты и антимонаты. Сульфид висмута до 1000 С почти не летуч, не летуч и триоксид висмута. В зависимости от условий обжига с газами уходит 60 - 80 % мышьяка, 20 - 40 % сурьмы и 5 - 15 % висмута. [4]

Характерные реакции, катализируемые оксидами. [5]

За исключением летучих оксидов осмия и рутения оксиды стабильны в температурном интервале и реакционной среде, характерных для катализа. В большинстве условий оксиды сохраняют высокие поверхности вплоть до температур, приближающихся к 1000 С. По этой причине оксиды алюминия и кремния обычно используют как носители катализаторов. Однако определенная реакционная среда может привести к потере стабильности этих оксидов. Это накладывает ограничение на использование водяного пара в некоторых процессах при повышенных температурах. [6]

Элементы первой диады образуют летучие оксиды RuO4 и OsO) - Это единственные в своем роде примеры соединений, в которых степень окисления элемента VHIB-группы равна 8, т.е. отвечает номеру группы. В силу координационной насыщенности эти оксиды не присоединяют воду, поэтому им не отвечают гидроксиды. Они способны растворяться в воде, химически с ней не взаимодействуя. [7]

Удаляющийся из зоны реакции летучий оксид галлия ( I) сдвигает реакцию (4.96) вправо. В результате расплав все более обогащается кремнием. [8]

Элементы первой диады образуют летучие оксиды RuO и OsO Это единственные в своем роде примеры соединений, в которых степень окисления элемента VIIIB-группы равна 8, т.е. отвечает номеру группы. В силу координационной насыщенности эти оксиды не присоединяют воду, поэтому им не отвечают гидроксиды. Они способны растворяться в воде, химически с ней не взаимодействуя. [9]

Влияние легирующих. [10]

Элементы, образующие легкоплавкие или летучие оксиды, например ванадий, молибден, вольфрам, ускоряют процесс окисления стали. [11]

Удаляющийся из зоны реакции (4.946) летучий оксид кремния ( II) ( SiO) сдвигает реакцию вправо. При этом расплав обедняется кремнием. Однако вследствие малой концентрации кремния в галлиевом расплаве активность кремния невелика. Поэтому конечная концентрация кремния в галлиевом расплаве зависит в основном от величины парциального давления оксида галлия ( I): чем оно больше, тем больше сдвинута реакция (4.96) влево и меньше загрязнение галлиевого расплава кремнием. В свою очередь величина парциального давления пара оксида галлия ( I) зависит от величины свободного объема, который он занимает. [12]

Для этого в реактор вводят кислород или летучие оксиды, например As2O3 при получении арсенидов. Иногда летучие оксиды создают ( генерируют), помещая в реактор смесь металлического компонента со своим высшим оксидом, взятых в стехиометрическом соотношении. [13]

Константы для определения скорости испарения и давления насыщенного пара электродных материалов.| Зависимость скорости испарения электродных материалов в жидком состоянии в вакууме от температуры. [14]

Так, вольфрам при наличии кислорода при нагреве образует летучие оксиды - WO2, WOs; в газовой фазе над поверхностью вольфрама с температурой 1200 - - 1500 К образуются также димерные и тримерные формы этих оксидов - W20e, WsOs, WsOg. Наличие даже небольшой примеси кислорода в любом нейтральном или условно нейтральном технологическом газе резко увеличивает скорость массо-переноса материала катода по сравнению с простым испарением элементного вольфрама. [15]

Страницы: 1 2 3 4