Cтраница 4
В некоторых случаях содержание кислорода в монокристаллах элементарных полупроводников может быть снижено путем введения в расплав примесей, имеющих большое сродство к кислороду: германия, кремния, олова, свинца, кальция, алюминия, редкоземельных элементов и др. Количество вводимой в расплав примеси рассчитывают с учетом стехиометрии образующегося оксида. При этом учитывают влияние примеси-раскислителя на электрические свойства полупроводника. [46]
Дериватограмма ( рис. 1) золотисто-желтого порошка, полученного в 1 % растворе хлорида аммония, имеет незначительный эндотермический эффект при 373 К, свидетельствующий о потере адсорбционной воды, значительный эндотермический эффект при 603 К, соответствующий потере конституционной воды, и явно выраженный экзотермический эффект, связанный с перекристаллизацией образующегося оксида, при 725 К. [47]
Для протекания процесса резки необходимо удовлетворение ряда условий, а именно: температура плавления металла должна быть выше температуры ее воспламенения в кислороде; температура плавления оксидов должна быть ниже температуры самого металла в процессе резки; количество теплоты, выделяющееся при оксидировании металлов, должно быть достаточным для поддержания непрерывного процесса резки; теплопроводность металла не должна быть чрезмерно высокой; образующиеся оксиды должны быть жидкотекучими, и в разрезаемом металле должно быть ограниченное количество примесей, препятствующих резке. [48]