Зависимость - барьерная емкость
Cтраница 1
Зависимости барьерных емкостей от иапряжения описываются в модели Гуммеля - Пуна выражением (10.6), а в других модификациях передаточной модели так же, как и в инжекционной модели. [1]
 |
Зависимость барьерной емкости от напряжения на / j - л-переходе. [2] |
Зависимость барьерной емкости от приложенного напряжения приведена на рис. 2.4. Теоретически барьерная емкость существует и при прямом напряжении на / 7-л-переходе, однако она шунтируется низким дифференциальным сопротивлением гдиф. [3]
Зависимость барьерной емкости р-п перехода от приложенной разности потенциалов позволяет применять переход в качестве управляемой емкости. Диоды, используемые для этой цели, называются варикапами. Изготовляются они как в виде точечных, так и в виде плоскостных структур и характеризуются относительно высокой добротностью, малым температурным коэффициентом и низким уровнем собственных шумов. [4]
 |
Зависимость барьерной емкости / 7-п-перехода от величины обратного напряжения. [5] |
На рис. 2.6 показана зависимость барьерной емкости германиевого диода Д19А от величины обратного Напряжения. Как видно из графика, емкость составляет десятки пикофарад. [6]
В сплавных варикапах с резким р-п-пе-реходом зависимость барьерной емкости от напряжения смещения получается более резкая. Связано это с тем, что глубина проникновения электрического поля в материал зависит от удельного сопротивления этого материала. [7]
 |
Зависимость барьерной емкости резкого электронно-дырочного перехода от напряжения. [8] |
Полученные соотношения дают возможность, найдя экспериментально зависимости барьерной емкости электронно-дырочного перехода от напряжения, оценить распределение примесей в нем. [9]
 |
Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [10] |
На рис. 2.7 в качестве примера показана зависимость барьерной емкости германиевого диода Д901А от величины обратного напряжения. [11]
Варикапом называют полупроводниковый диод, в котором используется зависимость барьерной емкости р-л-перехода от напряжения. [12]
 |
Переключающий диод ( динистор. [13] |
На рис. 3.20, а, б показана зависимость относительной барьерной емкости варикапа от обратного напряжения и условное обозначение варикапа. [14]
Две работы посвящены изучению диода: исследуются статические характеристики диода, зависимость барьерной емкости p - n - перехода от напряжения, переходные характеристики. На основании измерений рассчитываются ширина р-га-перехода и распределение примеси в нем, время жизни неосновных носителей, контактная разность потенциалов, а также определяется зависимость сопротивления базы от величины тока диода. [15]
Страницы: 1 2