Зависимость - барьерная емкость
Cтраница 2
Первый сомножитель в (16.18) определяет емкость обычного плоского конденсатора, второй - характеризует зависимость барьерной емкости от приложенного напряжения. [16]
Одной из основных характеристик варикапа, во многом определяющей его метрологические характеристики, является зависимость барьерной емкости от температуры. [17]
 |
Модели транзисторов в режиме малого сигнала, соответствующие трем системам параметров четырехполюсника. [18] |
Итак, модель Гуммеля - Пуна позволяет учесть такие эффекты при работе реальных транзисторов в режиме передачи большого сигнала, как зависимости ширины базы, коэффициента усиления по току и сопротивления базы от тока коллектора, а также зависимости барьерных емкостей переходов от приложенных напряжений. Благодаря этим особенностям модель Гуммеля - Пуна обеспечивает хорошее приближение моделируемых статических и динамических характеристик транзисторов к реальным. [19]
В полупроводниковых диодах зависимость барьерной емкости от напряжения нелинейна [ см. (2.68), 2.69) 1, поэтому любой полупроводниковый прибор с / 7-п-переходом в принципе может быть использован как конденсатор с емкостью, управляемой напряжением. В варикапах используется барьерная емкость, не зависящая от частоты вплоть до миллиметрового диапазона, имеющая относительно высокую добротность, низкий уровень шумов и малый температурный коэффициент емкости. Диффузионная емкость имеет сильную зависимость от напряжения, но по остальным параметрам уступает барьерной емкости, поэтому ее, как правило, не используют в качестве управляемой. [20]
Из соотношений (2.68) и (2.69) видно, что барьерные емкости резкого и линейно-плавного переходов изменяются обратно пропорционально корню квадратному и корню кубическому из приложенного напряжения. Из этих же соотношений следует, что барьерная емкость перехода возрастает с уровнем легирования п - и / 7-областей. На рис. 2.23 приведена модель диффузионной и барьерной емкостей, а на рис. 2.24 - зависимость барьерной емкости от напряжения для плавного ( а) и резкого ( б) переходов. [21]
Повышение точности двухсекционных моделей возможно прежде всего путем учета зависимостей электрических параметров от токов и напряжений ветвей эквивалентной схемы. Очевидно, что учет таких зависимостей, повышая точность модели, увеличивает как количество параметров, так и объем требующихся вычислений. Так, для анализа схем на низкочастотных транзисторах, где главной причиной инерционности является накопление носителей в базе, модели NET-1 и ПАЭС могут использоваться без учета зависимостей барьерных емкостей от напряжений иэ и UK, что приводит к исключению параметров пэ, пк, фОЭ, рок из системы параметров транзистора. [22]
Страницы: 1 2