Зависимость - концентрация - электрон
Cтраница 1
Зависимость концентраций электронов и дырок от давления неметалла в этих решениях определяется тем же самым значением tn 2zx, что и в случае чистых соединений с полностью ионизованными дефектами. Такое совпадение не случайно: из уравнений (5.51) видно, что т становится равным 2гх в любом случае, когда концентрация полностью ионизованных дефектов не зависит от давления неметалла. [1]
На рис. 2 приведены зависимости концентрации электронов от концентрации селена и теллура в дендритах арсенида галлия. [3]
На рис. 4 приведены зависимости концентрации электронов от концентрации селена и теллура в монокристаллах арсенида галлия, выращенных из расплавов, составы которых взяты на разрезах GaAs - Te ( Se) с концентрацией легирующих примесей до - 1 ат. [4]
 |
Зависимость проводимости примесного полупроводника от температуры и концентрации примеси. [5] |
На рис. 1.17, б изображена зависимость концентрации электронов в примесных полупроводниках от температуры для различных значений концентрации примесей. Чем выше концентрация примесей, тем при более высокой температуре наступает момент ( точки b) t когда все атомы примеси ионизированы. Передвигаются также влево точки а, соответствующие переходу области примесной проводимости в область собственной проводимости. [6]
На рис. 2 представлены полученные результаты как зависимость концентраций электронов в слоях от скорости роста. [7]
 |
Зависимость концентраций точечных и электронных дефектов от технологической переменной. [8] |
Таким образом, принимая, что каждая вакансия дает одну дырку, а каждый атом в междоузлии один электрон, можно построить график зависимости концентраций электронов и дырок ( определяемых по измерениям эффекта Холла) в чистых кристаллах теллурида кадмия от температуры и давления паров кадмия, при которых проводилась термообработка. [9]
Обнаружено, что концентрация электронов в растущем слое существенно зависит лишь от температуры подложки, а разность температур источника и подложки, ориентация подложки и уровень легирования источника оказывают значительно меньшее влияние. Поэтому зависимость концентрации электронов от температуры роста не может быть объяснена лишь переносом примесей источника через газовую фазу. По-видимому, эта зависимость определяется особенностями поведения кислорода в арсениде галлия при различных температурах. При низких температурах роста кислород проявляет себя в основном как примесь, дающая глубокий донорный уровень UbJ. GaAs, замещая атомы мышьяка либо образуя комплексы и создавая при этом мелкие допорные уровни [5], так что возникает обратное неравенство: NDNA. Это приводит к росту концентрации электронов в слоях, выращенных при высоких температурах. [10]
По полученным данным рассчитываются зависимость концентрации электронов от времени и профили концентрации. [11]
Рассмотрим теперь температурную зависимость концентрации электронов в примесном полупроводнике и-типа. На рис. 1.5 показаны графики зависимости концентрации электронов от температуры для кремния при различных концентрациях доноров. [12]
Для выяснения этого вопроса большое значение имеет исследование зависимости концентрации электронов проводимости от температуры. Эти данные, как мы знаем ( § 165), можно получить, измеряя, например, значение постоянной Холла при различных температурах. [13]
Для выяснения этого вопроса большое значение имеет исследование зависимости концентрации электронов проводимости от температуры. Эти данные, как мы знаем ( § 150), можно получить, измеряя, например, значение постоянной Холла при различных температурах. [14]
Для выяснения этого вопроса большое, значение имеет исследование зависимости концентрации электронов проводимости от температуры. [15]
Страницы: 1 2