Зависимость - концентрация - электрон
Cтраница 2
При слабых электрических полях практически все носители находятся в нижней долине, п - пй и плотность тока определяется выражением J - qn iE, что соответствует участку / на вольт-амперной характеристике рис. 5.2. При сильных полях можно предположить, что практически все электроны приобретут добавочную энергию, большую, чем A5i и окажутся в верхней долине. В этом случае п2жп0 и Jqnu i2E, что соответствует участку 3 вольт-амперной характеристики рис. 5.2. При средних напря-женностях электрического поля, когда справедливо выражение (5.1), вид зависимости плотности тока от напряжения определяется зависимостью концентраций электронов в долинах от напряженности электрического поля. [16]
 |
Зависимость концентрации носителей в пленках РЬТе на NaCl ( штрихи и BaF2 ( сплошные линии от парциального давления паров Те2 при Ти 400 С ( 7. [17] |
При давлении паров теллура более 5 ( 1 ( Г5 - 10 - - 4) Тор пленки имеют дырочную проводимость, причем концентрация носителей р растет с увеличением температуры подложки Ти в интервале 340 - 400 С. Следует отметить, что при более низких температурах конденсации теллурида свинца на NaCl ( 50 - 260 С) в [69] наблюдали обратную картину. Таким образом, зависимость р ( Ти) в интервале 50 - 400 С имеет минимум. В то же время зависимость концентрации электронов п от Гп, согласно [148], имеет максимум. [18]
 |
Зависимость концентрации носителей в пленках РЬТе на NaCl ( штрихи и BaF2 ( сплошные линии от парциального давления паров Те2 при Тп 400 С ( 7, 380 ( 2, 360 ( 3 и 340 С ( 4. [19] |
Тор пленки имеют дырочную проводимость, причем концентрация носителей р растет с увеличением температуры подложки Ти в интервале 340 - 400 С. Следует отметить, что при более низких температурах конденсации теллурида свинца на NaCl ( 50 - 260 С) в [69] наблюдали обратную картину. Таким образом, зависимость р ( Ти) в интервале 50 - 400 С имеет минимум. В то же время зависимость концентрации электронов п от Гп, согласно [148], имеет максимум. [20]
Рассмотрим теперь температурную зависимость концентрации электронов в примесном полупроводнике и-типа. На рис. 1.5 показаны графики зависимости концентрации электронов от температуры для кремния при различных концентрациях доноров. При низких температурах ( в области 1) средняя энергия фононов мала в сравнении с энергией ионизации доноров ( kT & Eg), поэтому лишь часть доноров ионизирована, а концентрация свободных электронов мала. С ростом температуры в области 1 концентрация электронов увеличивается, так как возрастает концентрация ионизированных доноров. Зависимость концентрации электронов от / Т экспоненциальная, типа ехр [ А. В области 2 средняя энергия фононов соизмерима с энергией ионизации примесей, но еще значительно меньше, чем ширина запрещенной зоны. Поэтому почти все доноры ионизированы, а концентрация собственных электронов HI незначительна. Полное число свободных электронов приблизительно постоянно, а их концентрация равна концентрации доноров n Ng. Таким образом, в областях 1 и 2 преобладают примесные, основные носители. [21]
Страницы: 1 2