Cтраница 1
Зависимость коэффициента передачи от обобщенной расстройки и фактора связи изображена на фиг. [1]
Зависимости коэффициентов передачи от частоты для первого варианта без оптимизации представлены на рис. 7.10. На рис. 7.11 приведен вид передаточной функции для первого варианта с оптимизированным демпфированием. [3]
Зависимость коэффициента передачи транзистора от напряжения на коллекторе t / K определяется изменением ( или модуляцией) ширины базы W, а также лавинным умножением носителей в запорном слое коллекторного перехода. [4]
Зависимость коэффициента передачи цепи от частоты выбрана такой, что по огибающей сигнала обеспечивается стопроцентная обратная связь, тогда как составляющие ПЧ и ее гармоники подавляются в той степени, которая необходима для обеспечения устойчивости активного детектора. [5]
![]() |
Зависимость основных параметров транзистора от тока эмиттера ( а и напряжения коллектора ( б. [6] |
Зависимость коэффициента передачи тока от тока эмиттера имеет вид кривой с максимумом, соответствующим оптимальному значению плотности тока. [7]
Зависимость коэффициента передачи биполярного транзистора от температуры для микрорежима можно получить, используя выражения (1.25) и (1.27) для температурных зависимостей сквозной и рекомбинационной составляющих тока эмиттера. [8]
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП25 - ЛШ25Б от температуры окружающей среды. [9]
![]() |
Зависимость коэффициента передачи тока от тока коллектора. [10] |
Зависимость коэффициента передачи тока рот напряжения коллектор - эмиттер t / кэ обусловлена рядом эффектов, связанных с изменением границы ОПЗ коллекторного перехода л кпри изменении t / кэ. В области повышенных плотностей тока и небольших напряжений t / кэ начинает сказываться эффект Кирка и эффект квазинасыщения. [11]
Рассмотрим зависимость коэффициентов передачи по току обоих транзисторов ар и ап от тока / а. Эти коэффициенты зависят от вероятности рекомбинации носителей в базах 1 и р2 - С ростом тока 1Я рекомбинация падает, так как центры рекомбинации заполняются при каждом акте рекомбинации, что ведет к увеличению коэффициентов аР и ап. [12]
Рассмотрим зависимость коэффициентов передачи по току обоих транзисторов а р и а от тока / а. [13]
![]() |
Принципиальные схемы корректирующих цепей. я - схема цепи НЧ предыскажений. - схема цепи коррекции НЧ предыскажений.| Частотная характеристика цепи предыскажен ий. [14] |
Графически зависимость коэффициента передачи цепи высокочастотных предыскажений представлена на рис. 8.9. Как видно из рисунка при отклонении частоты от номинального значения коэффициент передачи возрастает, что позволяет повысить уровень спектральных компонент сигнала, удаленных от несущей и в большей степени подверженных влиянию помех. [15]