Cтраница 2
![]() |
Двухмерная модель НЗЯ неоднородным распре-транзистора. делением плотности выде. [16] |
Существование зависимости коэффициента передачи от тока требует введения дополнительных понятий. [17]
Отдельные максимумы зависимости коэффициента передачи от частоты становятся незаметными, если разность частот Д / между соседними резонансами меньше ширины пиков, отсчитанной на уровне 0 7 их максимальных значений. [18]
При нахождении зависимости коэффициента передачи транзистора от частоты в схеме с общей базой учитывают действие трех факторов: емкости эмиттерного перехода, времени пролета через базу и времени пролета через коллекторный переход. [19]
![]() |
Зависимость интегрального ( 1 и дифференциального ( 2 коэффициентов передачи тока базы от. [20] |
При наличии зависимости коэффициента передачи тока от тока эмиттера его интегральные и дифференциальные значения отличаются. [21]
В результате зависимости коэффициентов передачи тока составных транзисторов тиристора от тока и напряжения этот расчет требует в общем случае решения сложных нелинейных уравнений. [22]
В результате появляется зависимость коэффициента передачи ао от постоянного смещения на коллекторе или величины1 сопротивления нагрузки в цепи коллектора при фиксированном напряжении питания. Кроме того, между коллектором и базой появляется дополнительная проводимость, определяемая как отношение приращения тока коллектора к прир а-шению напряжения на коллекторе. [23]
Из формулы видна зависимость коэффициента передачи напряжения от сопротивления нагрузки детектора. Поскольку Z является комплексным сопротивлением, коэффициент передачи напряжения зависит от частоты модуляции. Это означает, что диодный детектор может вносить частотные искажения в детектируемый сигнал. Однако емкость С нагрузки детектора выбирается так, что даже при максимальной угловой частоте модуляции выполняется неравенство R. Это означает, что сопротивление нагрузки можно рассматривать как чисто активное и частотными искажениями сигнала при диодном детектировании можно пренебречь. [24]
В кремниевых транзисторах зависимость коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера выражена сильнее, чем в германиевых транзисторах. Объясняется это большей шириной запрещенной зоны кремния по сравнению с шириной запрещенной зоны германия. [25]
В общем случае зависимости коэффициента передачи от управляющего сигнала выходной сигнал четырехполюсника при синусоидальном сигнале на входе имеет сложный вид. Однако принципиальным здесь является наличие в выходном сигнале постоянной составляющей и так называемых составляющих комбинационных частот, которые представляют собой синусоидально меняющиеся величины с частотами, равными и кратными сумме и разности входного и управляющего сигналов. [26]
Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока в режиме малого сиг - 1Э) мА нала от температуры. [27]
![]() |
Влияние обратной связи на характеристики усилителя. [28] |
Это означает, что зависимость коэффициента передачи от частоты при отрицательной обратной связи уменьшается. Другими словами, в этом случае усилитель становится более широкополосным. [29]
Отмеченные обстоятельства и подтверждают зависимость коэффициента передачи от длительности окна наблюдения. Отсюда видно также, что, обеспечивая, как отмечалось, на первый взгляд, лучшее решение при конечном окне наблюдения, можно в установившемся режиме получить коэффициент передачи, отличающийся от требуемого. [30]