Зависимость - коэффициент - поглощение
Cтраница 2
Зависимость коэффициента поглощения от длины волны излучения ( частоты, энергии кванта) называют спектром поглощения. Отдельные области спектра с локальными максимумами коэффициента поглощения соответствуют различным механизмам поглощения энергии излучения в полупроводниках. Механизмы поглощения энергии будут рассмотрены ниже. [16]
 |
Принципиальная схема измерительной установки. [17] |
Зависимость коэффициента поглощения k ( J) в примесной области от интенсивности излучения имеет также важное значение в процессах релаксации примесной фотопроводимости. В простом, случае возбуждение примесной фотопроводимости связано с появлением свободных носителей только одного знака, тогда как заряды противоположного знака остаются локализованными на атомах примеси. Поэтому процессы совместной диффузии и дрейфа пар электрон-дырка в условиях электронейтральности не могут иметь места. [18]
Зависимостью коэффициента поглощения от длины волны объясняется окрашенность поглощающих тел. Например, стекло, слабо поглощающее красные и оранжевые лучи и сильно поглощающее зеленые и синие, при освещении белым светом будет казаться красным. [19]
Используя зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей, установленную Фаном, Б. Я. Мойжес показал, что эти кривые находятся в полном согласии с формулой Генцеля. [20]
Ввиду зависимости коэффициентов поглощения от длины волны анализ по спектрам поглощения необходимо проводить с помощью спектральных приборов, разлагая падающее на вещество излучение в спектр. Для этой цели могут быть использованы спектрографы, спектрофотометры и инфракрасные спектрометры, а в случае широких полос поглощения у растворов можно пользоваться фотометрами со светофильтрами. [21]
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны. [22]
Поскольку зависимость коэффициента поглощения от S в общем случае не удалось выразить аналитическими формулами, то трудно ожидать, что коэффициент усиления кус ( со) как функция 5 может быть представлен аналитически. Для установления связи / cyc f ( S) необходимо проводить численные расчеты, которые оправданы только при конкретной постановке задачи. [23]
Пусть зависимость коэффициента поглощения от S не известна, однако на опыте установлено, что с ростом So пропускание фильтра монотонно возрастает. [24]
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны. [25]
Используя зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей, установленную Фаном, Б. Я. Мойжес показал, что эти кривые находятся в полном согласии с формулой Генцеля. [26]
Ввиду зависимости коэффициента поглощения от длины волны средние значения а для всего потока излучения ( Фе) и для видимой его части ( Ф) могут быть различными. [27]
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то эффект уменьшения проникновения квантов света в глубь полупроводника и увеличения роли поверхностной рекомбинации будет сказываться слабее с уменьшением длины волны. Поэтому максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. [28]
 |
Изменение распределения интенсивности в спектре рентгеновского излучения при прохождении через вещество. [29] |
Характер зависимости коэффициента поглощения от длины волны определяет в известной мере выбор излучения при структурном исследовании того или иного кристалла. Сильное поглощение в кристалле значительно уменьшает интенсивности дифрагированных кристаллом лучей ( а следовательно, увеличивает экспозицию при съемке на фотопленку); кроме того, излучение флюоресценции, распространяющееся от кристалла во все стороны, вуалирует пленку, затрудняя оценку интенсивностей дифракций. Поэтому работать при длинах волн, несколько меньших Хкр, невыгодно; следует избегать такого положения, когда длина волны лучей немного меньше длины волны края поглощения любого из элементов, входящих в состав исследуемого соединения. [30]
Страницы: 1 2 3 4