Зависимость - коэффициент - поглощение
Cтраница 4
Используя установленную Фаном зависимость коэффициента поглощения от концентрации носителей тока, Мойжес показал, что существует полное согласие приведенных кривых с формулой Генцеля. [46]
В германии р-типа зависимость коэффициента поглощения света свободными носителями тока от Я 2 нарушена. [47]
Формула (13.20), определяющая зависимость коэффициента поглощения от накачки и справедливая для системы частиц с произвольным числом уровней энергии при изотропном возбуждении, как видно из рис. 61, служит хорошим приближением, если возбуждающий свет анизотропен. Она верна для положительных и отрицательных о и поэтому нашла широкое применение в теории оптических квантовых генераторов. [48]
 |
Зависимость декремента от амплитуд напряжений для стали марки Ст. 2. [49] |
На рис. 50 представлены зависимости коэффициента поглощения г от статических растягивающих напряжений в пределах от 0 до приблизительно 6 - Ю7 Н / м2 ( 0 - 600 кгс / см2) для образцов из стали Ст. Из рис. 50 следует, что декремент колебаний не зависит от статических растягивающих напряжений. [50]
В выражении (5.11) отсутствует зависимость коэффициента поглощения от мощности падающего излучения. [51]
 |
Зависимость отражательной способности от угла падения для р - и s - волн в случаях, когда луч распространяется из воздуха в диэлектрик ( а и из диэлектрика в. [52] |
На рис. 3.15 построены зависимости коэффициентов поглощения при нормальном падении для некоторых типичных металлов. [53]
На рис. 221 представлена зависимость коэффициентов поглощения от энергии f - лучей для свинца. [54]
На рис. 11.28 приведена зависимость коэффициента поглощения от энергии фотона a f ( E) для InSb р-типа, легированного Zn, с концентрацией дырок 2 6 1017 см-3 при температуре 78 К [190]: 1 - экспериментальная кривая; 2 - 4 - расчетные кривые с использованием различного набора зонных параметров; 5 - расчетная кривая при учете непараболичности зоны тяжелых дырок. Поглощение связано с переходами носителей тока менаду подзонами тяжелых и легких дырок валентной зоны, причем зона тяжелых дырок непараболична. [55]
 |
Зависимость спектральной степени черноты ev плоского слоя газа от его оптической толщины avl. [56] |
Для этого нужно знать зависимость коэффициента поглощения av от частоты v в полосах поглощения - излучения для данного газа при заданных температуре и давлении. Вычисление сводится к интегрированию обеих частей уравнения ( и) по всему спектру, практически - по полосам поглощения, так как вне их излучение отсутствует. [57]
Ка рис. 11.295 приведена зависимость коэффициента поглощения легированных и нелегированных кристаллов GaP при 30е К от энергии фотона, а на рис. 11.296 - интенсивность фотолюминесценции легированных и нелегированных ( 25 ат. [58]
Страницы: 1 2 3 4