Зависимость - плотность - состояние
Cтраница 1
 |
Зависимость плотности состояний от энергии для кристалла ( а и аморфных твердых тел ( б, в. Локализованные состояния заштрихованы. [1] |
Зависимость плотности состояний от энергии для этих двух случаев показана на рис. 11.5. Там же для сравнения приведена соответствующая зависимость для кристалла. [2]
Схематический ход зависимостей плотности состояний ( D) t статической проводимости ( о) и хопловской проводимости ( ст, ) от концентрации электронов N [ ЗбП Заштрихованные области на плотности состояний отвечают локализованному режиму. [3]
 |
Взвешенная плотность фононных состояний ф в зависимости от энергии фононов при различных температурах. [4] |
Напр, в зависимости плотности фононных состояний ф от энергии фононов Йш для поликристаллич. При Т 414 К этот кристалл испытывает структурный фазовый переход в состояние с высокой ионной проводимостью ( см. Ионные суперпроводники), к-рый сопровождается разупорядочением протонов в решетке. Рис, 2 показывает, что это приводит к изменению спектра фононных частот. [5]
Рассматривая сплавы, можно экспериментально проследить зависимость плотности состояний от числа электронов на атом. Например, исследования объемноцентрированных кубических сплавов, выполненные Ченгом, Гуптой, ван Реутом и Беком [196], позволили обнаружить острый пик при концентрациях между шестью и семью электронами на атом. [6]
Характер спектральной зависимости коэффициента поглощения определяется двумя факторами: зависимостью плотности состояний от энергии р ( Е) в разрешенных зонах и зависимостью вероятности перехода от энергии падающего света. [7]
Характер кривой намагничивания зонного магнетика ( металла) определяется формой зависимости плотности состояний от энергии g ( E) и положением на ней уровня Ферми Ер. В частности, если в зонном парамагнетике в отсутствие поля в окрестности Ер кривая g ( E) является убывающей функцией с положительной кривизной, то во внешнем магнитном поле при достижении некоторого критического значения Як возможно резкое возрастание магнитного момента. [8]
Зависимость плотности состояний от типа ядра проявляется в параметре а, пропорциональном, как уже было сказано, массовому числу ядра. Хорошо известно, однако, что эффект спаривания существенным образом влияет на энергию связи ядер [ см. формулу ( 3) гл. [9]
Легко видеть из этой формулы, что функция восприимчивости убывает с возрастанием TI и поэтому обладает конечным временем корреляции или временем памяти. Экспоненциальное затухание получается только для лоренцевой формы зависимости плотности состояний от частоты. [10]
Множитель ( Йй) - я) в отражает зависимость плотности состояний в зоне проводимости ( валентной зоне) от энергии кванта. [11]
 |
Зависимость I, dljtiV и d2IjdVl от смещения У для кремниевого диода при 4 2 К. [12] |
Особенности электронного спектра проводника отражаются на ВАХ туннельного контакта. Особенности ВАХ позволяют выяснить зависимость плотности состояний электронов от энергии, а также частоты фононов и молекулярных возбуждений, участвующих в процессе туннелирования. [13]
На рис. 14.8 приведен / - эмиссионный спектр металлического алюминия. Край эмиссионной полосы в области - 73 эВ относится к переходу находящихся в энергетической зоне Зр-электропов, энергия которых близка к EF. Форма L-спектра ( рис. (4.8) аналогична зависимости плотности состояний, рассчитанной для алюминия. В области низких энергий спектра видна широкая полоса, которая отвечает переходам из Зз-зоны. В области более высоких энергий она перекрывается с другой полосой, которая отвечает переходам из Зр-зоиы. [14]
Окончательное выражение для функции g ( w) может быть получено лишь при ряде упрощающих предположений и только для простейших кристаллических решеток. В работах [441, 442] вычисления такого рода были выполнены для кубических решеток типа NaCl и алмаза при учете взаимодействия лишь ближайших соседей. В результате вычислений было найдено, что зависимость плотности состояний от частоты ( функция g ( co)) является достаточно плавной, хотя и имеет несколько максимумов. Таким образом, спектр КР второго порядка должен быть квазинепрерывным. [15]
Страницы: 1 2