Cтраница 2
Зависимость подвижности дырок при 77 К от концентрации акцепторов представлена на фиг. [16]
Зависимость подвижности катионов от концентрации представляет собой пересекающиеся кривые. В точке пересечения разность значений подвижности меняет знак. [17]
![]() |
Схема типичного прибора для препаративного электрофореза в градиенте плотности. [18] |
Зависимость подвижности белка от рН определяет его поведение в процессе электрофореза, осуществляемого одним из описанных методов. Если при заданном значении рН сумма всех положительных зарядов равна сумме всех отрицательных зарядов и общий заряд, следовательно, равен нулю, белок находится в своей изоэлектрической точке. При любом другом значении рН общий заряд белка отличается от нуля, и в зависимости от знака заряда белок перемещается к отрицательному или положительному электроду. [19]
![]() |
Температурные зависимости удельного сопротивления р массивных образцов Cu2S. 1 - нелегированный Cu2S, 2 - Cu2S, легированный кадмием. [20] |
Зависимость подвижности дырок от их концентрации, представленная в логарифмическом масштабе, изображается прямой линией, что свидетельствует о рассеянии носителей на примесях. [21]
Зависимость подвижности свободных носителей в PbS от 1 / Т для различных температур подложки представлена на фиг. [22]
Зависимость подвижности носителей тока от температуры для трех образцов SiC особой чистоты изображена на рисунке. [23]
Зависимость подвижности неосновных носителей заряда от температуры закалки германия представлена на рис. 2.17, из которого следует, что подвижность электронов ц в германии р-типа и дырок Цр в германии n - типа сильно уменьшается, если температура закалки приближается к температуре превращения. [24]
Эта зависимость подвижности от температуры представлена на рис. 4.12. Максимум кривой зависит от концентрации примесей - чем она больше, тем меньше подвижность и тем больше кривая смещается в сторону больших температур. Наибольшая температура, соответствующая максимуму кривых, не превышает 200 К. [25]
Рассмотрим зависимость подвижности и дрейфовой скорости от напряженности электрического поля. [26]
![]() |
Эмиссионные постоянные оксидных катодов.| Свойства полупроводников. [27] |
Вследствие зависимости подвижности от напряженности электрического поля, в полупроводниках могут наблюдаться отступления от закона Ома. Наименьшая напряженность поля, начиная с которой наблюдаются отступления от закона Ома, называется критическим полем. [28]
Однако зависимость подвижности носителей от температуры в полупроводниках совершенно другая, чем в металлах. Это обусловлено зависимостью распределения носителей заряда в полупроводниках от температуры уже при их небольших энергиях, в то время как в металлах распределение энергии электронов от температуры из-за большей их средней энергии начинает зависеть от температуры лишь при высоких энергиях. В результате этого полная электропроводимость в зависимости от температуры имеет минимум при некоторой температуре. Детали этой зависимости довольно сложны и здесь не приводятся. [29]
На практике зависимость подвижности от температуры при решеточном рассеянии может отклоняться от этого закона. Таким образом, при рассеянии свободных носителей на колебаниях решетки подвижность уменьшается с ростом температуры. [30]