Cтраница 3
Что касается зависимости подвижности ионов от таких факторов, как давление и температура, то нужно заметить, что изменение этих факторов влечет за собой и изменение природы ионов. При неизменной природе иона подвижность его обратно пропорциональна плотности газа и, следовательно, при постоянной температуре обратно пропорциональна давлению. В промежутки времени, следующие за моментом образования ионов, их природа, а поэтому и их подвижность изменяются. Это явление известно под названием старения ионов. Поэтому, приводя сколько-нибудь точные данные о подвижности ионов ( особенно в смесях газов), необходимо указывать их возраст. [31]
Рассмотрим сначала зависимость подвижности носителей от температуры. Подвижность носителей заряда в реальных кристаллах определяется механизмом рассеяния. Чаще всего в полупроводниках преобладают два механизма рассеяния - на ионизированной примеси и на тепловых колебаниях решетки. Рассеяние на ионизированной примеси является преобладающим при малых температурах, когда тепловыми колебаниями можно пренебречь. [33]
Типичный график зависимости подвижности нефти от градиента давления представлен на рис. ], На графике можно выделить три области. [34]
![]() |
Изменение объема кристалла антрацена с давлением ( по Бриджмену. [35] |
Рис 14 показывает зависимость подвижности от давления. В этом случае подвижность практически не зависит от давления. Результаты опытов показывают, что подвижность изменяется с давлением линейно. [36]
Таким образом, зависимость подвижностей от давления соответствует представлениям, что носители тока в антрацене движутся в очень близких зонах, ширина которых может быть изменена прилагаемым давлением. [37]
Важную роль играет зависимость подвижности от напряженности электрического поля. [38]
![]() |
Зависимость подвижности носителей в кремнии от концентрации примеси при Т 300 К. [39] |
Важную роль играет зависимость подвижности от напряженности электрического поля. [40]
Как показал Пекар, зависимость подвижности от темпера-туры хорошо согласуется с его теорией поляронов, по которой дырки окружены в своем движении поляризованной областью кристалла, хотя абсолютное значение подвижности и расходится с теорией. [41]
![]() |
Q. Зависимость подвижности носителей тока в Cu20 и PbS. [42] |
Сравнение вышеприведенных формул для зависимости подвижности от температуры с опытом дает достаточно хорошее согласие только для атомных решеток, где основным источником рассеяния служат флуктуации, вызванные акустическими колебаниями. [43]
В области собственной проводимости зависимость подвижности от температуры имеет вид IH i Т 3 / 2; это означает, что рассеивание электронов в этой области обусловлено в основном тепловыми колебаниями решетки. [44]
![]() |
Температурные зависимости подвижности электронов ( цп, сплошные линии и дырок ( Рф, пунктирные линии в Si. Параметр - концентрация электронов ( JVa и дырок ( Wa. [45] |