Зависимость - подвижность - электрон
Cтраница 1
Зависимость подвижности электронов при комнатной температуре от концентрации доноров изображена на фиг. Как видно из фигуры, образцы, подвергнутые термообработке, имеют в основном более высокие значения подвижности, а это означает, что компенсация в них меньше, чем в необработанных образцах. С другой стороны, соответствующие данные, относящиеся к температуре 77 К, показывают, что термообработка мало влияет на свойства InAs при этой температуре ( фиг. [1]
На рис. 4.1.10 показана зависимость подвижности электронов от ширины запрещенной зоны. [3]
На рис. 85 приведена зависимость подвижности электронов в германии от концентрации ионов примеси. [5]
 |
Зависимость подвижности электронов щенной зоны Eg.| Зависимость подвижности электронов от постоянного напряжения, смещающего при осаждении электрический потенциал подложки относительно анода. [6] |
На рис. 4.1.10 показана зависимость подвижности электронов от ширины запрещенной зоны. [7]
 |
Линии равной концентрации при диффузии точечного возмущения в однородной неограниченной плаэме. Размеры области возмущения вдоль поля в 10 раз больше области возмущения поперек. [8] |
В простой газоразрядной плазме обычно существенна зависимость подвижности электронов от электрич. Скорость амбиполярного дрейфа v& характеризует распространение квазинейтральных возмущений концентрации ( волн плотности) плазмы. Большие возмущения ( как волны большой амплитуды) из-за нелинейной связи между концентрациями и скоростями потоков () деформируются и опрокидываются. Возникают области с резкими градиентами концентрации - скачки, аналогичные ударным волнам, - где существенна диффузия или нарушается квазинейтральность. Если же масштаб неоднородностей L Т / ( еЕ), то эволюция их и при наличии тока определяется лишь диффузией. [9]
Если принять это значение за величину решеточной подвижности, то в принципе возможно вычислить зависимость подвижности электронов от концентрации ионизованных доноров, комбинируя полярный механизм рассеяния с примесным и электронно-дырочным. Никаких строгих расчетов до настоящего времени не было выполнено, результаты же упрощенного анализа [59] представлены на фиг. Там же приведены значения подвижности электронов в образцах р-типа. Как видно из фигуры, эти величины значительно ниже, чем величины подвижностей электронов в полупроводнике n - типа с такой же концентрацией примесей. Это подтверждает существенную роль электрон-дырочного рассеяния. [10]
При нарушении совершенства кристаллической структуры, подвижность может только уменьшаться: ц s HT - На рис. 89 показана зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации примеси при комнатной температуре. [12]
При низких температурах примеси полностью ионизированы и ход а определяется зависимостью подвижности от температуры ( при более высоких температурах ип - Т-1-66), которая представлена на рис. 15 для тех же электронных образцов. Зависимость подвижности электронов при 20 С от концентрации электронов проводимости ( или от концентрации примесных центров) показана на графике рис. 16, построенном на основании наших и литературных данных. В пределах изменения концентрации от 1017 до 1016 см 3 подвижность электронов в InSb изменяется слабо и лежит в интервале 35 000 - 60 000 см2 / в-сек. [13]
Посредством экстраполяции результатов можно получить значение решеточной подвижности, равное примерно 2000 см2 / в-сек для 290 К. Для области температур выше комнатной зависимости подвижности электронов и дырок подчиняются законам Т 0 - 87 и Г 2 - 0 соответственно ( фиг. [14]
Кривые такого типа наблюдаются у многих веществ. На рис. 88 представлена зависимость подвижности электронов и дырок в кремнии при различной концентрации примеси в интервале температур от - 50 до 250 С. Мы видим, что подвижность дырок меньше подвижности электронов. Это положение имеет место во всех полупроводниках. [15]
Страницы: 1 2