Зависимость - подвижность - электрон
Cтраница 2
 |
Зависимость электропроводности от абсолютной температуры для той же, что и на 1, серии легированных мышьяком образцов германия. [16] |
Наблюдающийся на опыте ход подвижности для разных полупроводников может быть очень сложным, являясь отраже нием последовательного наложения и смены, с изменением температуры, различных механизмов рассеяния. На рис. 2 для примера представлена зависимость подвижности электронов от температуры для той же, что и на рис. 1, серии образцов германия, легированных мышьяком. Прерывистая линия характеризует рассеяние на тепловых колебаниях решетки. [17]
 |
Зависимость плотности тока от напряженности поля в кристалле арсенида галлия электронного типа ( а, временная диаграмма тока диода Ганна в режиме накопления заряда ( б. [18] |
Диоды Ганна используются в основном для генерирования колебаний ВЧ и СВЧ. В основе принципа действия этих диодов лежит эффект Ганна, проявляющийся наиболее сильно в кристаллах арсенида галлия электронного типа. Этот эффект связан с особой зависимостью подвижности электронов проводимости от напряженности электрического поля. [19]
Ле-Блан [9] недавно выполнил расчет плотно-связанной зоны для антрацена и нашел, что для электронов, движущихся перпендикулярно плоскости ab, параметр эффективной массы определяется почти полным сокращением двух больших членов. Эта характеристика не годится для других исследованных направлений, а также для дырок, даже если они движутся перпендикулярно плоскости спайности. В соответствии с этим можно ожидать, что зависимость подвижности электронов от температуры и давления для этого направления будет определяться тем, насколько изменяются с температурой и давлением отдельные члены в приведенном выше выражении. [20]
Сведений о GaAs, относящихся к сверхнизким температурам, мало. Одна из низкотемпературных кривых приведена на фиг. Емельяненко и Наследов [38] исследовали менее чистые образцы и обнаружили, что и коэффициент Холла и проводимость мало изменяются в области температур от комнатной до 1 5 К - Эренрайх [31] показал, что зависимость подвижности электронов от температуры в чистых образцах согласуется с допущением, что полярное рассеяние и рассеяние ионизованными примесями преобладают в интервале температур 60 - 500 К - Результаты его расчетов представлены в виде пунктирной кривой на фиг. [21]
Для этих образцов не наблюдается изломов на зависимости логарифма проводимости от обратной температуры. Это связано с присутствием в кристалле адсорбированного кислорода. Если принять, что кислород является донорной примесью, то для отношения подвижности дырок к подвижности электронов получается значение 0 67 при 373 К. Зависимость подвижности электронов и дырок от температуры можно рассчитать при условии, что температурные зависимости подвижностей и эффективные плотности состояний для дырок и электронов совпадают. [22]
Рассмотрим в заключение этого параграфа некоторые экспериментальные данные. На рис. 82 представлена температурная зависимость подвижности электронов и дырок в арсениде галлия. На рисунке отчетливо видны области роста и уменьшения подвижности и область максимума. Кривые такого типа наблюдаются у многих веществ. На рис. 83 представлена зависимость подвижности электронов и дырок в кремнии при различной концентрации примеси в интервале температур от - 50 С до 250 С. Мы видим, что подвижность дырок меньше подвижности электронов как в арсениде галлия, так и кремнии. Это положение имеет место во всех полупроводниках. [23]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в системах твердых растворов на основе соединений ЛШВУ с прямой структурой энергетических зон. [24] |
Температурные изменения электрических параметров принципиально не отличаются от соответствующих зависимостей для бинарных соединений. Однако закономерности их изменения в зависимости от состава твердого раствора во многом определяются типом зонной структуры исходных компонентов. Если компоненты имеют одинаковую зонную структуру, то наблюдается плавная зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора, в ряде случаев близкая к линейной. Важный вывод, вытекающий из исследования свойств твердых растворов этого типа, заключается в том, что в общем механизме рассеяния носителей заряда доля рассеяния на нарушениях структуры сплава мала. На рис. 24 - 25 изображена зависимость подвижности электронов от состава сплавов в системах InAs - InP и InSb-GaSb. Если бы рассеяние на нарушениях структуры решетки было существенным, то на кривой зависимости подвижности от состава существовал бы минимум, чего, однако, не наблюдается. Это означает, что в гомогенных твердых растворах подвижность носителей заряда ограничивается теми же факторами, что и в соединениях А В, и может быть существенно увеличена очисткой материала. [25]
Страницы: 1 2