Зависимость - рассеяние
Cтраница 1
Зависимость рассеяния от энергии открывает еще одну возможность проверки справедливости гипотезы, согласно которой рассеяние обусловлено действием силы, которая изменяется обратно пропорционально квадрату расстояния. То обстоятельство, что такая проверка была проведена, свидетельствует о тщательности исследований, выполненных Резерфордом и его учениками. [1]
Рассмотрим зависимость рассеяния от диаметра и числа полюсов на конкретном численном примере. [2]
Такая зависимость рассеяния от угла о действительно наблюдалась. [3]
Структурная амплитуда выражает зависимость рассеяния рентгеновских лучей от взаимного расположения атомов, их рассеивающих способностей и направления лучей. [4]
 |
Прибор для изучения. [5] |
Аналогичным образом была изучена зависимость рассеяния от толщины листков и от скорости а-частиц. Во всех случаях для рассеяния в листочках из тяжелых металлов установлено хорошее согласие экспериментальных результатов с требованиями теории. [6]
Гамма-гамма-метод рассеяния основан на зависимости рассеяния и поглощения гамма-квантов от свойств вещества, в частности от его плотности и химического состава. Рассеянное излучение возникает в результате взаимодействия первичных гамма-квантов с электронами вещества; рассеянные кванты теряют часть своей энергии, изменяют траекторию и после многократных столкновений поглощаются атомами вещества. Коэффициент рассеяния, характеризующий потерю энергии рассеянным гамма-квантом, является функцией отношения ZJA элемента. [7]
Метод рассеяния гамма-излучений основан на зависимости рассеяния и поглощения гамма-квантов от свойств вещества, в частности от его плотности и химического состава. Коэффициент рассеяния, характеризующий потерю энергии рассеянных гамма-квантов, пропорционален отношению Z / A атомного номера элемента к массовому числу. С этим связано изби-рательное влияние воды в грунтах, почвах и других материалах на рассеяние гамма-излучений. [8]
С другой стороны, та же зависимость рассеяния от числа электронов объясняет, почему пластинки, например, из Be ( 4 электрона) легко пропускают рентгеновские лучи, а пластинки из РЬ ( 82 электрона), наоборот, их очень сильно задерживают. [9]
В целом, анализируя частотную и угловую зависимости рассеяния, можно получить информацию о тех структурных неоднородно-стях, на которых происходит рассеяние ультразвуковых волн. [10]
Причина, затрудняющая полную теоретическую интерпретацию природы электрического сопротивления, заключается в том, что трудно учесть зависимость рассеяния электронов от характеристических параметров металла, хотя саму величину электросопротивления, этого чувствительного и дающего много сведений параметра, измерить легко. [11]
Причина, затрудняющая полную теоретическую интерпретацию природы электрического сопротивления, заключается в том, что трудно учесть зависимость рассеяния электронов от характеристических параметров металла, хотя саму величину электросопротивления, этого чувствительного и дающего много сведений параметра, измерить легко. [12]
Легко видеть, что формула ( 82) совпадает с формулой ( 36) при т0 оо, полученной без учета зависимости рассеяний высших порядков от азимута. [13]
Соответственно с этим длина электронных волн в полупроводнике почти в 20 раз больше, чем в металле, достигая 10 - 6 см. Поэтому электроны полупроводника мало рассеиваются на тепловых флуктуациях атомных размеров, преимущественно же на неоднородностях порядка 10 - 7 - 10 - 6 см. Зависимость рассеяния от энергии электронов также совершенно иная. Эти обстоятельства определяют отличие подвижности электронов в полупроводниках от подвижности металлических электронов. [14]
Из (47.14) видно, что интенсивность рассеяния обратно пропорциональна четвертой степени длины волны. Такая зависимость рассеяния от длины волны называется законом Рэлея. [15]
Страницы: 1 2 3