Зависимость - рассеяние
Cтраница 2
Если дисперсная система содержит частицы, размер которых больше, чем 0 1Я, то помимо увеличения интенсивности рассеяния в направлении падающего света и уменьшения ее - в обратном направлении проявляются отклонения от закона Рэлея. Эти отклонения относятся к зависимости рассеяния света от длины волны и к поляризационным явлениям. Они могут быть использованы для суждения о размерах частиц. [16]
В случае когда длины волн фононов сравнимы со всеми размерами дефекта, сечение рассеяния нельзя считать пропорциональным некоторой степени частоты. Судя по вычислениям Андерсона [10] для звуковых волн, зависимость рассеяния от длины волны очень чувствительна к соотношению между константой связи и изменениями массы. [17]
Следует заметить, что рабочий эталон должен при всех измерениях находиться при той температуре, которую он имел при калибровке, так как рассеяние в нем может зависеть от температуры. Для использования эталона в широком интервале температур необходимо специально выявить зависимость рассеяния в нем от температуры. В этом отношении имеют преимущество те приборы, у которых рабочий эталон вынесен из термостата с кюветой и находится всегда при комнатной температуре. [18]
Если амплитуда рассеяния зависит от спинового состояния системы, то не все рассеяние является когерентным по отношению к падающей волне. Возникающая при рассеянии некогерентность может быть названа спиновой некогерентностью, так как она обусловлена зависимостью рассеяния от спина системы двух сталкивающихся частиц. [19]
Несмотря на то, что в последние годы появилось большое число работ, посвященных общей теории взаимодействия электромагнитного излучения с шероховатыми поверхностями, наиболее адекватным для изучения сверхгладких поверхностей нам представляется подход, развитый А. А. Андроновым и М. А. Леон-товичем в 1926 - 1928 гг. Специфика MP-диапазона заключается в малости величины 8 - 1 ( е - диэлектрическая проницаемость) и наличии полного внешнего отражения. На основании подхода Андронова-Леонтовича во второй главе в рамках скалярной теории исследуются особенности индикатрисы рассеяния и зависимость интегрального рассеяния от угла скольжения. [20]
По данным автора, внутреннее рассеяние энергии в стекле не зависит от амплитуды. Поэтому исследование зависимости суммарного рассеяния энергии от амплитуды колебаний в данном случае равносильно исследованию зависимости рассеяния энергии за счет аэродинамического сопротивления. [21]
Теорию опалесценции проще всего построить, рассчитав рассеяние света от одной частицы и перенеся затем полученный результат на совокупность частиц. В простейшем случае рассматривается рассеяние света сферическими частицами, так как только при полной симметрии их формы рассеяние не зависит от положения частицы по отношению к плоскости, образуемой падающим лучом и направлением наблюдения. Если частица имеет анизометрическую форму, то необходимо учитывать зависимость рассеяния от ориентации частицы по отношению к указанной плоскости. При совершенно хаотическом расположении частиц все ориентации их равновероятны, что приводит к усреднению, и рассеяние света вновь подчиняется формуле для частиц сферической формы ( при достаточно малых размерах) с некоторым эффективным радиусом. Если по каким-либо причинам анизометрические частицы ориентированы, то формула, описывающая среднее рассеяние от одной частицы, соответствует форме и ориентации частицы в случае полной ориентации или какой-то эффективной форме в случае частичной ориентации. [22]
По данным автора, внутреннее рассеяние энергии в стекле не зависит от амплитуды. Поэтому исследование зависимости суммарного рассеяния энергии от амплитуды колебаний в данном случае равносильно исследованию зависимости рассеяния энергии за счет аэродинамического сопротивления. [23]
В реальных кристаллах другие процессы рассеяния, такие, как N - и U-npo - цессы и рассеяние на границах, мешают фононам с малыми значениями х унести тепло из потока. В результате нижний предел интегрирования оказывается отличным от нуля и по наклону кривой теплопроводности при низких температурах часто можно с достаточной надежностью судить о зависимости рассеяния на дефектах от частоты и, следовательно, о природе дефектов. Однако мы не должны ожидать, что такие выводы можно будет сделать на основе высокотемпературных измерений. [24]
D, однако не влияет на величину микроскопической ( или холловской) подвижности. В этом обстоятельстве кроется важность определения величины i H. В простых металлах цц / DI тогда как в полупроводниках ( в которых в проводимости могут участвовать носители обоих знаков) / ИД / А / / 1, причем точное значение этого отношения определяется зависимостью рассеяния носителей от энергии. [25]
 |
Оптимальные значения отношения Я, с учетом требования о минимальном рассеянии в зависимости от диаметра расточки статора. [26] |
Практическое требование в отношении одинаковой длины находится в противоречии с условием минимального рассеяния. Эмпирическое уравнение ( 14546) дает хорошее компромиссное решение. Зависимость рассеяния от отношения К не очень ярко выражена, и поэтому эмпирическое уравнение дает, как правило, вполне пригодные значения отношения Я. В общем необходимо помнить, что отношение А. [27]
Хиппель предполагает, что направленный пробой может произойти благодаря явлению интерференции, включающему в себя процессы рассеяния Лауэ и Рамзауэра. По их теории, эта зависимость от направления существует только для рассеяния определенного вида. Аналогичное явление имеет место в особых случаях рассеяния свободных электронов при колебаниях решетки полярного типа. Можно, следовательно, предсказать наличие зависимости рассеяния электронов от направления в полярных кристаллах, например в щелочно-галоидных; наоборот, в полярных кристаллах, например в орторомбической сере, такая зависимость не должна наблюдаться. [28]
 |
Плотности вероятности для нормального распределения с различным соотношением параметров.| Плотность вероятности пределов текучести as для стали марки Ст. 3. [29] |
Рассеяние в значительной мере зависит от формы и размеров образцов. У образцов с корсетной рабочей частью рассеяние выше, чем у образцов, рабочая часть к-рых имеет форму равного сопротивления; с увеличением поперечных размеров рассеяние снижается. Рассеяние уменьшается также с ростом уровня концентрации напряжений, если сравнение производить при одинаковых номинальных напряжениях или при одинаковых средних долговечиостях. Если же сравнение производить при одинаковых макс, напряжениях в зоне концентрации, то не обнаруживается зависимости хар-к рассеяния долговечности от уровня концентрации напряжений. Нельзя, однако, полагать, что хар-ки рассеяния, определенные по результатам одного опыта, совпадут с соответствующими генеральными хар-ками. [30]
Страницы: 1 2 3