Зависимость - скорость - рост
Cтраница 1
Зависимость скорости роста от температуры имеет максимум в области 380 - 400 С. [1]
Зависимость скорости роста от давления НС1 можно объяснить, разделив процесс транспорта феррита на три стадии: гетерогенную реакцию на источнике, перемещение газообразных продуктов к подложке и реакцию на ней с выделением феррита. При малых давлениях диффузия газов от источника к подложке происходит настолько быстро, что процессом, лимитирующим скорость роста, является гетерогенная реакция. С повышением давления в системе скорость диффузии замедляется, а скорость реакции увеличивается и, наконец, диффузия становится стадией, лимитирующей скорость роста. Граничное значение давления зависит от температуры - с повышением температуры критическое давление уменьшается. [2]
Зависимость скорости роста от пересыщения или переохлаждения может иметь различный вид. Во-первых, это определяется механизмом роста кристалла, а во-вторых, способом выражения пересыщения. Здесь имеется в виду способ выражения степени отклонения системы от состояния равновесия: абсолютное или относительное пересыщение или коэффициент пересыщения. [3]
Зависимость скорости роста от переохлаждения хорошо согласуется с теоретическими представлениями об образовании на грани растущего кристалла двумерных зародышей. При меньших переохлаждениях скорость роста практически равна нулю. [4]
Зависимость скорости роста зародышей от пересыщения и переохлаждения также должна иметь максимум. На рис. 11.26 изображены температурные зависимости скоростей образования центров кристаллизации у, и роста кристаллов i2 в переохлажденной жидкости. [5]
Зависимость скорости роста зародышей от степени пересыщения и переохлаждения также должна иметь максимум. [7]
Зависимость скорости роста микротрещин от состава смеси н-пропанол - вода представлена на рис. 5.25. Из рисунка следует, что скорость роста микротрещин практически не зависит от состава смесей в широкой области их соотношений и только при малых концентрациях спирта резко уменьшается. Нетрудно заметить, что вид зависимости скорости роста микротрещин от концентрации поверхностно-активного вещества напоминает изотерму адсорбции. На наш взгляд, такое совпадение не случайно и объясняется следующими причинами. [9]
Зависимость скорости роста микротрещин при атермическом механизме от напряжения должна приводить к временной зависимости прочности. [10]
Зависимость скорости роста микротрещин от напряжения должна приводить к временной зависимости прочности даже при атермическом механизме разрушения. По мере роста краевой микротрещины в глубь образца напряжение о в еще не разрушенном поперечном сечении постепенно возрастает, если растягивающая нагрузка в процессе опыта сохраняется постоянной. [11]
Зависимость скорости роста коррозионной трещины от температуры в соответствии с уравнением ( 19:) должна определяться главным образом зависимостью коэффициента диффузии D галоидных ионов от температуры. Значительно отличающееся влияние температуры в области кривой, соответствующей медленному росту трещины ( см. рис. 64 и 65), по-видимому, показывает, что в этом случае транспорт галоидных ионов через жидкость не является контролирующей стадией. [12]
Зависимость скорости роста частиц новой фазы от степени переохлаждения также выражается кривой смаксимумом: с одной стороны, переохлаждение способствует выделению скрытой теплоты кристаллизации и росту частиц, с другой стороны, с развитием процесса кристаллизации наблюдается столкновение различных зерен, начавших расти из разных точек, что препятствует свободному росту каждого отдельного зерна. [13]
Зависимость скорости роста кристаллов сернокислого железа от абсолютного пересыщения характеризуется константой скорости 0 12 - 0 15 кг - С - м / ч и п 1 [5] при 30 С. Зато в титановых щелоках константа скорости роста оказывается значительно ниже - примерно в 10 - 15 раз по сравнению с k для обычных растворов. Порядок процесса при этом остается неизменным, Следовательно, в присутствии титана рост кристаллов железа замедляется. Причины уменьшения скорости роста могут быть разными. [14]
Качественно зависимость скорости роста от Q мощности разряда можно получить, используя аналитическое выражение для вольт - амперной характеристики разряда в предположении, что скорость роста пленок является только функцией плотности тока разряда. Кроме того, следует считать, что сечения элементарных процессов не зависят от кинетической энергии частиц. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5