Зависимость - скорость - рост
Cтраница 2
Рассчитана зависимость скорости роста от условий выращивания. Зависимость скорости роста от скорости охлаждения немо-нотонна. Это приводит к зависимости распределения компонент в направлении, перпендикулярном плоскости роста, от условий наращивания. [16]
Если зависимость скорости роста от пересыщения слабо нелинейна, ее трудно отличить от прямолинейной зависимости, характерной для нормального роста, особенно при изучении этой зависимости на небольшом отрезке пересыщений. Поэтому измерение скоростей следует сопровождать изучением скульптуры граней, установлением атомарного типа грани и ее дефектности. [17]
Такая зависимость скорости роста от пересыщения подтверждена экспериментально на примере роста кристалла из пара. Что касается роста из раствора, то, хотя подобные зависимости и встречаются, по ним обычно нельзя однозначно сказать, что рост происходил двумерными зародышами. По наблюдению за поверхностью грани, ее морфологией также трудно установить, имеется ли рост двумерными зародышами, поскольку толщина их равна периоду повторяемости в данной решетке. Странским было показано, что для ионных кристаллов наиболее энергетически выгодно образование двумерных зародышей у ребер гладкой грани. Поэтому наблюдающееся образование слоев у вершин и ребер обычно считается признаком роста по механизму двумерного за-родышеобразования. [18]
Рассматривая зависимость скорости роста кристаллов кварца от температурного перепада, следует обратить внимание на большой разброс экспериментальных данных для растворов NaOH. В кратковременных опытах американскими исследователями получены значения скорости роста до 4 мм / сут без спонтанной кристаллизации. [19]
 |
Температурные пределы микробного роста. [20] |
Кривая зависимости скорости роста от температуры - определенная для каждого организма. При этом действует закон Q10: при возрастании температуры на 10 С скорость реакции увеличивается в 2 - 4 раза. При переходе через оптимальную температуру рост существенно замедляется. [21]
 |
Условия эпитаксиального наращивания кремния из газовой фазы. [22] |
Изучение зависимости скорости роста эпитаксиальных слоев от основных параметров процесса - температуры подложки, скорости потока и концентрации реагента - важно наряду с чисто практической необходимостью для анализа механизма процесса осаждения. [23]
 |
Зависимость роста выше оптимума роста. Ограничи-микроорганизмов от темпе. [24] |
Треугольник зависимости скорости роста от температуры неравнобедренный ( рис. 26): скорость снижается медленно при понижении температуры, а при повышении вскоре после достижения наивысшей скорости роста резко срывается, и наступает гибель клеток при температуре, обозначаемой как максимальная. Диапазон между максимальной и минимальной температурами обычно составляет 20 - 30 С. Оптимум зависимости от температуры располагается ближе к максимуму. [25]
Учет зависимости скорости роста кристалла от переохлаждения требует привлечения представлений о собственно кинетике кристаллизации. Не останавливаясь на деталях вывода связи dy / dt и ДГ, отражающей особенности собственно процесса кристаллизации, отметим, что форма этой связи определяется атомным механизмом роста кристалла. [26]
Определение зависимости скорости роста кристаллов от интенсивности перемешивания позволяет рассчитать коэффициент массопереноса для изучаемой системы. В табл. VII.5 даны значения коэффициентов массопереноса для нескольких систем. Заслуживают интереса абсолютные величины коэффициентов массопереноса, которые в целом довольно близки между собой. [27]
 |
График зависимости скорости роста прочности / fj от тока при разных частотах ( медные контакты. [28] |
Сопоставление зависимостей скорости роста прочности / Q в функции тока при различных частотах ( рис. 3 - 1), проведенное И. [29]
Расчет зависимости скорости роста цепи от концентрации инициатора по этому уравнению хорошо согласуется с экспериментальными данными. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5