Cтраница 3
Если кристалл облучается рентгеновыми лучами при низких температурах, то а-полоса образуется одновременно с F - и Р - ПОЛО-сами. Образованные при низких температурах, все перечисленные полосы исчезают при нагревании кристалла до комнатной температуры, тогда как после рентгенизации при комнатной температуре получаются устойчивые F - и jl - полосы. Это явление находится в согласии с известным фактом о зависимости стабильности F-центров от температуры, при которой они создаются путем фотохимического окрашивания, и обусловлено неодинаковой термической стабильностью различных типов V-центров, при аннигиляции которых одновременно исчезают также частично и / - - центры. [31]
При этом не было замечено большого различия Б окисляемости взятых эфиров. Однако ограниченное количество данных в этой области не дает возможности сделать окончательные выводы о зависимости стабильности диэфира от длины цепи кислоты. [32]
Торнтон [73] установил, что стабильность ЭЛ улучшается с увеличением содержания в ЭЛ меди и галоидов, а также с повышением температуры прокаливания шихты. Автор обнаружил, что мелкодисперсные ЭЛ имели худшую стабильность по сравнению с крупнодисперсными. Яффе [74] показал, что стабильность ЭЛ улучшается с увеличением ионного радиуса галоида-соактиватора, вводимого в ЭЛ, то есть от хлора к брому и иоду. Результаты работы [75] подтверждают зависимость стабильности ЭЛ от химической природы соактиватора. [33]