Зависимость - ток - база
Cтраница 1
Зависимость тока базы от напряжения база - эмиттер; транзистора 2N240 ( 1 С. [1]
Зависимости токов базы и коллектора в транзисторе выражаются нелинейными функциями. [2]
Входная характеристика отображает зависимость тока базы от напряжения, приложенного к переходу база - эмиттеп при постоянном напряжении на коллекторе. Увеличение напряжения У ( по модулю) смещает входную характеристику вправо. Это происходит за счет перераспределения эмиттерного тока: подавляющая часть носителей, пролетающих с эмиттера через базу на коллектор, возрастет еще больше, а доля самого потока, замыкающегося на базу за счет рекомбинации или инкекции, уменьшится. [3]
Аналогично должна быть учтена зависимость тока базы от величины инверсного тока из коллектора при прямом смещении коллекторного перехода, что можно сделать введением зависимости инверсного коэффициента усиления от тока коллектора. Наряду с этим, что очень существенно, следует учесть - накопление заряда в коллекторе при прямом смещении коллекторного перехода. Данный фактор важен, поскольку время выхода транзистора из насыщения зависит в основном от времени рассасывания заряда из коллектора, а не рассасывания заряда, инжектированного в базу из коллектора. Многие модели этого не учитывают, что может привести к неправильной оценке динамических свойств планарного транзистора. [4]
Характеристика получается путем измерения зависимости тока базы или коллектора от напряжения 1 / бк При отключенном эмиттере и прямом смещении коллекторного перехода. [5]
На рис. 58, б приведены зависимость тока базы / б от напряжения на базе U и зависимость тока коллектора / к от напряжения на коллекторе UK. [6]
Обратимся к рассмотрению входных характеристик транзистора - зависимостей тока базы от напряжения между базой и эмиттером: / Б / ( бэ) при постоянном напряжении Укэ - При / 7кэ 0 оба перехода в транзисторе работают при прямом напряжении, токи коллектора и эмиттера суммируют в базе. [7]
Входная характеристика для схемы с общим эмиттером выражает зависимость тока базы от напряжения базы при неизменном напряжении или токе коллектора; для схемы с общей базой входная характеристика выражает зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттера также при неизменном напряжении или токе коллектора. [8]
Входная вольт-амперная характеристика транзистора ( рис. 10 6) представляет зависимость тока базы от напряжения, прикладываемого между базой и эмиттером. Из этой характеристики следует, что если на базу транзистора подается незначительное напряжение ( порядка 0 2 - 0 3 в), то транзистор практически остается закрытым. [9]
При расчете необходимо также иметь кривые зависимости коллекторного тока от напряжения базы и зависимости тока базы от ее напряжения ( входные характеристики) для лучшего и худшего транзистора в пределах допустимого разброса. Первая кривая определяет величину тока утечки коллектора недостаточно закрытых транзисторов, который надо учитывать при расчете схем, а также требуемое значение управляющего напряжения базы худшего транзистора при максимальной рабочей температуре. Эти сведения не указываются в паспорте транзистора, но очень близкие к экспериментальным данные можно получить из характеристик, приведенных на фиг. УВЕ при VCE - - 0 4 в, полученная интерполяцией между кривыми VCE - 0 10 И, VCE - - 1 5 в. [10]
Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером ( рис. 5 - 16) показывают зависимость тока базы / б от напряжения базы относительно эмиттера 6 б.э. Эти характеристики при разных напряжениях на коллекторе ик 3 различаются несколько больше, чем входные характеристики в схеме с общей базой. [12]
Для наиболее распространенной в радиопередающих устройствах схемы с общим эмиттером ( рис. 6) основными характеристиками являются зависимости тока базы ig и коллектора t K от напряжений на участках база - эмиттер ыб и коллектор - эмиттер ик. [13]
 |
Схемы включения транзисторов с общей базой ( а, с общим эмиттером ( б, с общим коллектором ( в и входная ( г, выходная ( д вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. [14] |
На рис. 1.11 г показано семейство входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ, которые представляют собой зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе. [15]
Страницы: 1 2