Зависимость - ток - база
Cтраница 2
Семейство входных характеристик транзистора П14, как это видно из рис. 15.24, б, обладает той особенностью, что в интервале значений иэк0 2 - - 10 В зависимость тока базы 16 от напряжения между эмиттером и базой изображается одной и той же кривой. [16]
Наибольший интерес представляет схема с общим эмиттером, так как при построении характеристик при этой схеме включения получается зависимость тока базы от напряжения эмиттер - база, чего нельзя получить для других схем включения. Для схемы с общей базой ток базы не измеряется, а рассчитать его достаточно точно по токам эмиттера и коллектора нельзя, так как они очень мало отличаются один от другого. То же самое можно сказать относительно напряжения эмиттер - база в схеме с общим коллектором. Таким образом, из статических характеристик для схемы с общим эмиттером можно получить точные характеристики для всех остальных схем, в то время как обратная операция практически невозможна. [17]
 |
Схема реостатного каскада с нагрузкой /.. [18] |
Построение нагрузочной прямой для переменного тока производится аналогично. Выбор режима можно произвести также по выходным характеристикам / к ( ЕК), где в качестве параметра используется не напряжение на базе, а ток базы. Эти характеристики несколько отличаются от выходных характеристик, где параметром служит напряжение на базе, в связи с нелинейным характером зависимости тока базы от напряжения на базе. Приводимые далее рекомендации, касающиеся выбора режима транзистора, остаются при этом в силе. [19]
 |
Второй элемент обозначения типов транзисторов. [20] |
Статические характеристики выражают зависимость между токами и напряжениями, действующими в цепях различных электродов транзистора. Применяются главным образом для расчета каскадов, работающих при большом сигнале. В связи с этим ниже на рис. 2, 3, 4 и 5 приводятся статические характеристики только для мощных транзисторов при включении их наиболее распространенным способом - по схеме с общим эмиттером. При этом входные характеристики показывают зависимость тока базы от приложенного к электродам база - эмиттер напряжения. Эти характеристики слабо зависят от напряжения коллектора, если оно превышает несколько десятых долей вольта. Входная же характеристика, соответствующая нулевому напряжению между коллектором и эмиттером, существенно отличается. [21]
Транзистор в устройстве включен по схеме с общим эмиттером. От транзистора, в частности, зависит верхний предел потенциала сооружения при катодной поляризации. При такой схеме включения входным током является ток базы / б, а выходным - ток коллектора / к. Для получения тока во входной цепи база должна иметь положительный потенциал относительно эмиттера, а эмиттерный переход должен быть открыт. По входным характеристикам транзистора, выражающим зависимость тока базы напряжения при постоянном значении напряжения на коллекторе, определяют порог срабатывания транзистора U. Потенциал сооружения, при котором откроется транзистор, определяется выражением Uc С / у э U. Следовательно, чем меньше U, тем раньше откроется транзистор и тем больше приблизится потенциал сооружения к потенциалу управляющего электрода. [22]
 |
Транзисторный ключ с гальваническим управлением.| Улучшенные варианты транзисторных ключей с гальваническим управлением. [23] |
Отличительной чертой гальванического управления является большой перепад управляющего напряжения. Это часто заставляет включать преобразователи уровней управляющих сигналов, которые во время-импульсных устройствах являются дополнительным источником погрешностей, так как искажают временные соотношения. Кроме того, здесь характерны большие межэлектродные напряжения на запертом транзисторе, которые более чем вдвое превышают шкалу переключаемого напряжения. Недостатком схемы на рис. 6.3 является также зависимость тока базы насыщенного транзи-стора, а значит, параметров U3 и R3 от уровня передаваемого сигнала. Ослаб - - ление этого эффекта возможно за счет увеличения Re и / упр, что, однако, не всегда является оправданным. [24]
Страницы: 1 2