Cтраница 3
Оптопары, транзисторные, двухканальные, состоящие из эпитак-спальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в пластмассовом корпусе. [31]
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и кремниевого однопереходного транзистора. Предназначены для использования в аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей. Выпускаются в металлическом корпусе. [32]
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк - галлий - алюминий и составного кремниевого фототранзистора. Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются - в металлическом корпусе. [33]
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Предназначены для применения в ключевом режиме. Выпускаются в металлостеклянном корпусе. [34]
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в пластмассовом корпусе. [35]
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающих мезаэпитаксиальных диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом. Выпускаются в ме-таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. [36]
Оптопары резисторные, с открытым оптическим каналом отражательного типа, состоящие из излучающего арсенидогаллиевого диода и фотоприемника - дифференциального селенисто-кадмиевого фоторезистора. Предназначены для применения в качестве позици-онно-чувствительных датчиков устройств автоматики прецизионных металлообрабатывающих станков с числовым программным управлением. Для отражения лучей используются зеркала диаметром 20 мм и радиусом кривизны 50 мм. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянным окном. [37]
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого тиристора. [38]
Оптопары этого типа работают главным образом в ключевом режиме и применяются в коммутаторных схемах, устройствах связи различных датчиков с измерительными блоками, в качестве реле и во многих других случаях. [39]
Оптопары с составным транзистором обладают наибольшим коэффициентом передачи тока, но наименьшим быстродействием, а наибольшее быстродействие характерно для диодно-транзисторных оптопар. [40]
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого фотодиода, в металлическом корпусе. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. [41]
Оптопары, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-галлий-алюминия и кремниевого однопереходного транзистора, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей. [42]
Оптопары тиристорные, состоящие из излучающего диода на основе арсенид-гадлий-алюминия и кремниевого тиристора, предназначены для использования в качестве управляемого ключа в узлах радиоэлектронной аппаратуры, в которых требуется гальваническая развязка между выходной цепью и цепями управления. [43]
Оптопары, состоящие из излучающего диода и составного фототранзистора, в металлическом корпусе. Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры. [44]
Оптопары диодные бескорпусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий-алюминия и кремниевого диодного фотоприемника. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем. [45]