Cтраница 4
Оптопары, состоящие из арсенид-галлий-алюминиевого излучающего диода, кремниевого фотоприемника и иммерсионной среды между ними, бескорпусные. Предназначены для применения в составе гибридных микросхем. [46]
Оптопары транзисторные, состоящие из кремниевого эпитак-сиально-планарного транзисторного приемника и арсенидгаллиевого мезаэпитаксиалъного инфракрасного диодного излучателя. [47]
![]() |
Конструкция оптопары в металлокерамическом корпусе. [48] |
Оптопары могут быть изготовлены в пластмассовом, керамическом или металлостеклян-ном корпусах. На рис. 5.41 изображена оптопара в стандартном пластмассовом DIP-корпусе с восемью выводами. [49]
Оптопара - оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который состоит, из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь, обеспечивающая электрическую изоляцию между входом и выходом. [50]
Оптопара - это оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция. [51]
Оптопара диодная, состоящая из арсенид-галлий-алюминиевого излучателя на основе двойных гетеро-структур, кремниевого p - i - n фотоприемника, изготовленного по эпитакси-альной технологии, и имерсионной среды между ними. Предназначена для гальванической развязки электрических цепей. Выпускается в ме-таллостеклянном корпусе. [52]
Оптопара диодная, состоящая из арсенидгаллиевого излучателя и кремниевого фотоприемника, изготовленных по эпитаксиальной технологии, иммерсионной среды и внутреннего экрана между ними. Предназначена для использования в качестве элементов гальванической развязки электрических цепей. Выпускается в метал-лостеклянном корпусе. [53]