Зависимость - фотопроводимость
Cтраница 1
 |
Характеристика спектра фотопро - малое расстояние между ОМИ-водимости фоторезистора ческими контактами. [1] |
Зависимость фотопроводимости от длины волны оптического изучения зависит от спектра поглощения полупроводника. [2]
Зависимость фотопроводимости ряда полупроводников от освещенности используется в фотосопротивлениях, получивших широкое практическое применение. Основным их преимуществом по сравнению с вакуумными фотоэлементами является высокая световая чувствительность. У селеново-кадмиевых фотосопротивлений, например, она примерно в 105 раз выше, чем у вакуумных фотоэлементов. [3]
 |
Кинетика фоточувствительности / ф полимеров.| Влияние кислорода на фоточувствительность полимера ( IV. [4] |
Характер зависимости фотопроводимости от времени для полимеров ( I - IV) подобен такой же зависимости для ацетиленидов металлов. [5]
Она изображает зависимость фотопроводимости от времени. Образец освещался в течение времени от А до С, остальное же время находился в темноте. Па участке от А до В проводимость возрастает в связи с тем, что свет создает дополнительные. Концентрация этих носителей достигает равновесия за время порядка времени жизни дырок в данном материале ( 40 мксек. Конечный наклон на осциллограмме связан со временем нарастания светового импульса. [6]
Это выражение описывает зависимость возникающей фотопроводимости от свойств кристалла и геометрических параметров образца. [7]
Можно думать, что зависимости фотопроводимости от спектральной области излучения для жидкостей и твердых веществ существенно не различаются. [8]
Значительная часть работы была посвящена изучению зависимости фотопроводимости от температуры. Результаты измерений приведены на рис. 2 и в таблице. [9]
 |
Влияние мощности дозы у-излучения на проводимость эпоксидной смолы, наполненной слюдой, при различных температурах. Цифры на кривых - температура ( С. [10] |
Интересно отметить, что в отличие от полистирола и эпоксидной смолы зависимость фотопроводимости полиэтилена от интенсивности облучения ( на рисунке не показана), измеренная при различных температурах, представляется графиками, аналогичными по форме, но сдвинутыми друг относительно друга на величину, определяемую разностью температур. [11]
Справедливость такого заключения вытекает из работ [59, 60], в которых было показано, что максимум зависимости фотопроводимости от длины волны падающего света почти в точности совпадает с максимумом поглощения, тогда как максимум фотографической чувствительности ( по данным Кобленца) оказывается смещенным в сторону больших длин волн. Это обстоятельство не представляется случайным, как полагал Той, и, по-видимому, объясняется тем, что при возникновении фотопроводимости решающую роль играет лишь первая часть фотолиза, тогда как для светочувствительности, наоборот, основное значение имеет дальнейшая судьба фотоэлектрона. [12]
Спектры поглощения и спектральные распределения фотопроводимости в некоторых полупроводниках показаны на рис. 10.3. На этом рисунке показано, что зависимость фотопроводимости от энергии излучения имеет максимум при энергии, несколько большей энергии ширины запрещенной зоны полупроводника, при которой происходит резкий рост коэффициента поглощения. [13]
Зависимость ЭДС фотомагнитоэлектрического эффекта от интенсивности света и индукции магнитного поля по сравнению с той же зависимостью тока короткого замыкания носит более сложный характер, так как следует учитывать зависимость фотопроводимости образца от интенсивности света. При высоком уровне возбуждения, когда фстопроводимость значительно превышает темновую проводимость образца, фото-магнитная ЭДС стремится к насыщению. [14]
Зависимость фотопроводимости и фотомагнитного тока от длины волны, измеренная Гудвиным, показана на фиг. [15]
Страницы: 1 2