Cтраница 2
На протяжении многих десятилетий сотни работ, посвященных селену, не могли привести ые только к ясной картине происходящих в нем процессов, но даже к согласованному описанию его свойств. Например, зависимость фотопроводимости сгф от интенсивности L света давалась различными авторами как с, L / J, L, U, L2, а температурный коэффициент электропроводности - и как отрицательный и как положительный, с работой ионизации от 0 до 0.2 эл. [16]
Представим теперь экспериментальное доказательство существования двух видов ловушек в дырочном кремнии. Речь идет о зависимости фотопроводимости от времени после прекращения освещения. [17]
Условия осаждения нелегированных пленок a - Si: Н оказывают существенное влияние не только на темновое удельное сопротивление, но и на фотопроводимость. Согласно результатам анализа фотопроводимости, существуют различные механизмы рекомбинации носителей. Зависимость удельной фотопроводимости ор от интенсивности излучения Н имеет вид ор со Hvy где у - постоянная величина. [18]
Большой интерес представляет не только вопрос о механизме фотопроводимости в них, но и проблема определения местоположения примесных уровней исходя из спектральной зависимости фотопроводимости. Когда нижние уровни заполнены лишь частично, зависимость фотопроводимости от длины волны при гелиевых температурах имеет осциллирующий характер. [19]
При температурах, меньших 280 К, реализуется механизм прыжковой проводимости по глубоким энергетическим состояниям, локализованным вблизи уровня Ферми. Концентрация дефектов, которые идентифицируются с помощью метода электронного парамагнитного резонанса, составляет не менее 1018 см-3. Температурная зависимость удельной проводимости показана на рис. 3.1. Анализ зависимости фотопроводимости от температуры ( см. рис. 3.2) свидетельствует о том, что по обе стороны от уровня Ферми существуют энергетические зоны локализованных состояний. Хиросэ и др. [6] высказали предположение, что появление этих зон вызвано главным образом наличием хвостов состояний, связанных с областями вблизи границ зерен. [20]
Поэтому ниже дна зоны проводимости должны находиться возбужденные уровни, на которые электрон может переходить под действием излучения с частотой, меньшей частоты ионизации Ng. Между первым возбужденным и ионизованным состоянием донора, как и атома водорода, имеется еще ряд возбужденных уровней, которые переходят в сплошную полосу ионизованных состояний. Расстояние между уровнями мало вследствие наличия коэффициента 1 / s2, о котором уже говорилось в гл. Поэтому спектр поглощения твердого тела должен состоять из серии близких линий с частотой, лежащей в пределах от ЧЕ до MS, при которой должен начинаться сплошной спектр. При увеличении температуры линии расширяются в полосы, которые могут и перекрываться. Вследствие того что возбужденные уровни расположены очень близко друг к другу и к зоне проводимости, электрон, попавший на возбужденный уровень под действием излучения, может затем перейти в зону проводимости за счет энергии тепловых колебаний решетки. Таким образом, под действием излучения электроны начинают попадать в зону проводимости или путем прямых переходов, или через промежуточные возбужденные состояния. Если тело в отсутствие излучения было диэлектриком, то этот эффект называется фотопроводимостью. Под действием света может также заметно увеличиваться электропроводность полупроводников. Зависимость фотопроводимости от частоты излучения оказывается сложной вследствие возможности тепловых переходов между возбужденными состояниями, а также в силу зависимости коэффициента поглощения от частоты. [21]