Зависимость - ширина
Cтраница 1
Зависимость ширины площад-растает, как в случае ки контакта ( 1) и минимальной толщины упругого слоя, а мед - пленки смазки ( Г) от числа Зоммерфельда ленно уменьшается. [1]
Зависимость ширины онер - квазичастицы элек-гетпч. [2]
Зависимость ширины полосы от зернения возрастает с увеличением скорости газа-носителя. [3]
Зависимость ширины пучка от z характеризуется гиперболами ( ау / шо) 2 - ( z / z0) 2l, где z0kwo / 2nwo / k - радиус дифракционной расходимости. В области шейки, или в ближней зоне, пока z - Czo, площадь сечения пучка практически постоянна. Это качество очень полезно в оптических приборах, и иногда для подавления дифракционной структуры вместо диафрагм с резкими краями вводят искусственно постепенное ослабление пучка от оси к периферии. Такой прием называется аподизацией. [4]
Зависимость ширины проплавления от отдельных составляющих режима сварки и его влияние на формирование швов показаны на фиг. [5]
Зависимость ширины полочек и оснований кривых силы света от угла охвата примерно такая же, как и для шарового источника света. [6]
Зависимость ширины зон и их взаимного перекрытия от расстояния между соседними атомами в кристалле видна из фиг. G, на которой изображен зонный спектр внешних электронов меди. В связи с зонным характером спектра часто говорят о зонной теории или же о зонной модели кристалла. [7]
Зависимость ширины полосы синхронизации ( штриховая линия на рис. 7.18 а) от величины FQ при увеличении амплитуды внешнего сигнала отклоняется от линейной. [8]
 |
Изменение толщины интерметаллида ( / и ширины рекристаллизованной зоны вольфрама ( 2 во время отжига при 1100 С. [9] |
Зависимость ширины рекристаллизованной зоны в вольфраме от времени выдержки при 1100 С имеет параболический вид ( рис. 74), что свидетельствует о диффузионном характере процесса, интенсифицирующего рекристаллизацию. Согласно данным работы [236], таким процессом является насыщение вольфрама никелем и хромом. [10]
 |
Зависимость ширины вольтамперных характеристик диодов Ганна от пц и L.| Зависимость ширины вольтамперных характеристик диодов Ганна от температуры окружающей среды. [11] |
Зависимость ширины вольтамперных характеристик от 0 и L, построенная по (8.47), приведена на рис. 8.14. Максимально широкими характеристиками обладают диоды Ганна с наименьшей длиной для данной концентрации п0 и с наименьшей концентрацией п0 для данной длины диода L. При n0L 10 см 3 А ( УШ - 0 и диоды Ганна становятся генераторами шума при пороговых напряжениях. [12]
Зависимость ширины выходного импульса имп от Гокр. [13]
Обнаружена зависимость ширины запрещенной зоны от состава, а также влияние технологии получения веществ на вид спектров отражения. [14]
Используя зависимость ширины запрещенной зоны от температуры, Нортон и др. [521] перестраивали йлину волны излучения лазера на Pb / SnTe от 7 9 до 9 6 мкм. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5