Cтраница 4
![]() |
Зависимость спектральной ширины линии излучения от тока накачки для лазера, изготовленного из арсени-да индия ( InAs. [46] |
На рис. 14 показана зависимость ширины спектра испускаемого излучения от величины тока, протекающего через лазерный диод, изготовленный из антимонида индия. Хорошо видно, что при увеличении тока накачки полоса частот излучения резко сужается, а длина волны максимума излучения смещается в сторону более коротких длин волн. До порогового значения интенсивность излучения зависит от тока линейно, при больших значениях тока интенсивность резко возрастает. [47]
На рис. 11.24 приведена зависимость ширины запрещенной зоны соединений А В от температуры плавления. [48]
На рис. 19.28 изображена зависимость ширины запрещенных зон твердых растворов от состава. Состав получаемого монокристалла задается составом исходной шихты, представляющей собой спек твердого раствора, получаемый методом горячего прессования. [50]
Рассмотрим подробнее результаты исследований зависимости ширины магнитного следа на ленте от глубины залегания дефекта. [51]
На рис. 8 [29] показана зависимость ширины и формы хроматографического пика от объема анализируемой пробы. [52]
На рис. 5.10 а показаны зависимости ширины полосы А / / /, ускоряющего напряжения VQ, ширины пролетного канала D и массы фокусирующей магнитной системы М от числа лучей N многолучевого пучка. Видно, что с увеличением числа пучков резко уменьшается величина рабочего напряжения клистрона, одновренно имеет место рост ширины полосы усиливаемого сигнала. [53]
![]() |
Дифракционные кривые хлопкового волокна с экваториальными ( а н меридианальным ( б рефлексами. [54] |
Для оценки размеров кристаллитов используют зависимость ширины пиков на дифрактограммах от размеров кристаллитов. При расчете пользуются формулой Шере-ра В / ( h - cosQ), где В - размер кристаллита в продольном или поперечном направлении; Я. [55]
![]() |
Разделение ЗРЭР на зоны отдельных составляющих затрат. [56] |
Кривые 2 и 3 показывают зависимость ширины ЗРЭР от количества участков при разбросе капитальных вложений и эксплуатационных затрат до 5 и 10 % соответственно. [57]
На рис. 2 показана также зависимость ширины запрещенной зоны от обратной величины температурь. [58]
На рис. 7.18 б показана зависимость ширины полосы квазисинхронизации AW / WQ от параметра А. Сравнивая рис. 7.185, полученный в результате численного моделирования, с результатами стационарного анализа синхронизации ЛОВ ( см. рис. 7.166) можно заключить, что проведенный стационарный анализ синхронизации при малых длинах системы и малой амплитуде внешнего сигнала хорошо подтвержается результатами решения полной нелинейной нестационарной системы уравнений ЛОВО. FQ) практически перестает меняться с изменением А. [59]
Все выводы зонной теории, касающиеся зависимости ширины запрещенной зоны от состава вещества, связи эффективной массы электрона с зоной и другие выводы, качественно находятся в хорошем согласии с экспериментом. [60]