Cтраница 3
В заключение этого параграфа подчеркнем, что проведенное здесь рассмотрение основывается на предположении об относительной слабости взаимодействия. Поэтому, например, применение результатов (59.28) и (59.29) к вырожденному электронному газу допустимо лишь в пределе большой плотности. Наконец, заметим, что учет обменного взаимодействия приводит к изменению зависимости энергии электрона от импульса, а также к изменению диэлектрической проницаемости. [31]
В заключение этого параграфа подчеркнем, что проведенное здесь рассмотрение основывается на предположении об относительной слабости взаимодействия. Поэтому, например, применение результатов (59.28) и (59.29) к вырожденному электронному газу допустимо лишь в пределе большой плотности. Наконец, заметим, что учет обменного взаимодействия приводит к изменению зависимости энергии электрона от импульса, а также к изменению диэлектрической проницаемости. [32]
Такой вид, в частности, имеет волновая ф-ция отдельного электрона в эффективном периодич. U ( r), Периодичность волновой ф-цин означает, что состояния, описываемые квазиимпульсами, отличающимися на величину 2яЙб н с одинаковыми п, физически эквивалентны. Индекс п определяет номер полосы или зоны. Лвнып вид зависимости энергии электрона от квазиимпульса может быть получен при очень спец. [33]
![]() |
Низшие энергетические. [34] |
Такое допущение правомерно вследствие большого различия масс электронов и ядер: если ядра сдвигаются, то распределение электронной плотности мгновенно приспосабливается к их новому положению, тогда как положение ядер от перемещения легких электронов не зависит. При изменении расположения яде ]) меняется энергия электрона, а потому и энергия молекулы. Следовательно, кривые потенциальной энергии молекулы ( рис. 22) отражают зависимость энергии электрона от расстояния между яд-рама. [35]
![]() |
Низшие энергетические. [36] |
Такое допущение правомерно вследствие большого различия масс электронов и ядер: если ядра сдвигаются, то распределение электронной плотности мгновенно приспосабливается к их новому положению, тогда как положение ядер от перемещения легких электронов не зависит. При изменении расположения ядер меняется энергия электрона, а потому и энергия молекулы. Следовательно, кривые потенциальной энергии молекулы ( рис. 22) отражают зависимость энергии электрона от расстояния между ядрами. [37]
![]() |
Последовательность заполнения электронных уровней атомов. [38] |
В общем виде периодичность свойств элементов объясняется особым периодическим распределением электронов в электрическом поле ядра, при котором электроны занимают уровни с наименьшими доступными для них энергиями. В многоэлектронных атомах усиливается взаимодействие между электронами внешних оболочек и атомными остовами. Энергия внешних электронов начинает сильно зависеть от главного квантового числа. Поэтому, начиная с четвертого периода, электронам становится энергетически более выгодным попадать в оболочку с большим значением главного квантового числа п, несмотря на то, что оболочка с меньшим значением п еще не завершена. Если построить зависимость энергии электрона от заряда ядра, то из этой зависимости вытекает приведенная выше реальная последовательность заполнения электронных оболочек. Клечковскому такая последовательность определяется суммой квантовых чисел ( п /) и подчиняется следующим закономерностям. [39]