Cтраница 1
Частотная зависимость коэффициента Ла1б характеризуется предельной частотой / / 21б, которая является параметром транзистора. Емкость Ск тоже обычно приводится в паспорте транзистора. [1]
Частотная зависимость коэффициента замедления в рассматриваемой структуре более сильная, чем в двух предыдущих. При больших заполнениях ( t / a O 7Q) частотная зависимость коэффициента замедления слабая, так как большая часть энергии передается по диэлектрику. [2]
Частотная зависимость коэффициента затухания ( рис. 7.22) обусловлена поиерхностпым сопротивлением Лпр, которое, как известно, пропорционально У /, однако при достаточно низких частотах ( см. § 5.4) становится неприменимой теория сильного поверхностного эффекта, приводящая к представлению о поверхностном сопротивлении йпр. [3]
![]() |
Зависимости оптимальной частоты эхолокации при изменении объемной концентрации суспензии минеральных частиц в воде ( кривые 1 2 и эмульсии бензола в воде ( кривые 3, 4 ( I 300 гг 10 мкм. [4] |
Частотная зависимость коэффициента отражения звука на такой границе определяется частотной зависимостью акустических параметров концентрированных суспензий. Отметим, что указанный порядок величины сохраняется для подавляющего большинства суспензий неорганических веществ. [5]
Компенсация частотной зависимости коэффициента преобразования ( эффективности) первичного преобразователя осуществляется усилением коэффициента калибровки следующим образом. [6]
Вследствие частотной зависимости коэффициента усиления плоскостные триоды принято характеризовать величиной / а. [7]
![]() |
Энергетические уровни в молекулярной системе. [8] |
Исследование частотной зависимости коэффициента шума показывает, что по мере удаления от центральной частоты диапазона коэффициент шума увеличивается. Поэтому в некоторых случаях диапазон ЛБВ определяется не уменьшением коэффициента усиления, а заданной степенью увеличения коэффициента шума. [9]
Рассмотрим частотную зависимость коэффициента усиления по напряжению схемы усилителя, изображенного на рис. 5.12. Поскольку с ростом частоты / модуль крутизны (5.14) уменьшается, то снижается и коэффициент усиления Ки. Пусть к выходу усилителя подключен конденсатор емкостью Сн, учитывающий входную емкость следующей схемы-нагрузки и емкость соединительных проводников. [10]
Рассмотрим частотную зависимость коэффициента усиления для модуляционной неустойчивости. [11]
Что касается частотной зависимости коэффициента поглощение ультразвука, то опыт показывает, что, по крайней мере, в большой области частот отношение a0 / v2 действительно сохраняет постоянное значение. При этом в результате релаксации ( запаздывания) различных молекулярных процессов в некоторой сравнительно узкой области частот, характерной для данной среды, на кривой зависимости a0 / v2 от частоты, как и на кривых дисперсии, наблюдаются релаксационные ступеньки, после которых величина a0 / v2 падает до нового постоянного значения, приближающегося к стоксовскому. [12]
Для определения частотной зависимости коэффициента цг, п используют электродинамические образцовые вибрационные установки с малой поперечной составляющей движения. ИП крепится на них с помощью переходного устройства, описанного выше. [13]
С помощью частотной зависимости коэффициента усиления по току в схеме с общей базой, определяемой уравнением (4.1), получим подобную зависимость для коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. [14]
Результаты измерения частотных зависимостей коэффициентов оптического поглощения и отражения ртути в области перехода диэлектрик-металл были представлены в гл. Рисунок 2.16 демонстрирует изменения коэффициента отражения оптического излучения. Зависимости, типичные для металла, получены при р 12 г см-3. По мере уменьшения плотности R уменьшается, при этом меняется зависимость от частоты. [15]