Частотная зависимость - коэффициент
Cтраница 5
Основные причины уменьшения усиления в области высших частот в транзисторных усилителях связаны с частотными характеристиками самих транзисторов и в первую очередь с наличием емкостной составляющей у входной проводимости и частотной зависимостью коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером. [61]
Характеристики полосно-пропускающей структуры с двумя ВДР 3В качественно аналогичны рассмотренным выше в разделе 9.3. Количественное описание этих характеристик целесообразно проводить в терминах коэффициентов связи ВДР kc и внешних доб-ротностей резонаторов QBa или коэффициентов их связи с подводящими волноводами К - Нахождение параметров kc, QB возможно путем получения соотношений, описывающих частотную зависимость коэффициента отражения двухрезонаторной ЭС, и последующего анализа этой зависимости с целью вычисления kc и QBH. Наиболее просто такая задача решается применительно к ЭС ( рис. 9.9 а), содержащей подводящие волноводы шириной Ав, между которыми включен отрезок запредельного волновода, имеющий ширину а и ту же высоту, что и подводящий волновод. В отрезке запредельного волновода расположены два диэлектрических элемента. Электродинамический анализ такой системы [154] позволяет найти амплитуды прямых и обратных волн, которые определяют результирующий коэффициент отражения на входе системы. [62]
 |
Частотные зависимости энер. [63] |
Интересно сопоставить частотные зависимости коэффициентов прохождения в случае квазиоптического зеркала с аналогичными кривыми для зеркал, положение которых несколько отличается от квазиоптического. Как видно из рис. 23, 5 % - ное отклонение существенно влияет на значение коэффициента прохождения, особенно для Я20 - волны. При этом может измениться и сам характер поведения зависимостей WTPP. O изломы и изгибы меняются местами. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5