Частотная зависимость - параметр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Женщина верит, что дважды два будет пять, если как следует поплакать и устроить скандал. Законы Мерфи (еще...)

Частотная зависимость - параметр

Cтраница 1


Частотная зависимость параметров А, В, С обычных полосковых циркуляторов описывается реактаисными функциями с положительной производной и чередующимися полюсами и нулями, которые определяют резонансные условия ( параллельный или последовательный) для данного собственного значения. Например, для простейшего дискового полос-кового резонатора условие Л оо, или Воо, или С о соответствует резонансу какого-либо типа колебаний, входящего в спектр данного собственного значения.  [1]

Частотная зависимость параметров феррита оказывает меньшее влияние на величину изменения угла поворота плоскости поляризации в 3-см диапазоне. Для феррита феррамик R-1, имеющего порог насыщения 2000 гс и часто используемого для различных вентильных элементов 3-см диапазона, изменение члена, характеризующего изменение угла поворота в функции изменения параметров феррита с частотой, определяется предельными величинами 1 12 - 1 35 дб для всего 3-см диапазона.  [2]

3 Частотные характеристики идеального кольцевого моста. 9 131. [3]

Частотная зависимость параметров разветвителя (4.19) - (4.21) выражена в значениях / tgn / / ( 4 / 0), где / о - средняя частота заданного диапазона.  [4]

Анализ частотных зависимостей параметров распространения УЗ в твердых телах позволяет определить экстремальные диаметры ферми-поверхкостей и эфф. Дополнит, информация о структуре исследуемого вещества может быть получена при изменении внеш. В таких исследованиях, как правило, определяют не абс. Такой подход позволяет, напр. Аналогично при измерении относит, приращений коэфф.  [5]

Рассмотрение частотной зависимости параметров биполярного транзистора, и в особенности частотной зависимости коэффициента передачи тока а, приводит к выводу, что с ростом рабочей частоты коэффициент усиления по мощности транзистора должен падать.  [6]

Одна из причин частотной зависимости параметров транзистора обусловлена возрастающим с повышением частоты влиянием емкостей р-п переходов. Но не меньшую роль играют временные характеристики процесса переноса неосновных носителей через базу. Конечное время переноса приводит к тому, что изменения тока коллектора отстают по фазе от изменений тока эмиттера или базы, причем этот сдвиг по фазе возрастает с повышением частоты усиливаемого сигнала. Это связано с тем, что время переноса отдельных носителей несколько различно, в результате чего волна носителей по пути от эмиттера к коллектору несколько сглаживается. Чем выше частота усиливаемых колебаний и чем толще база, тем сильнее происходит это сглаживание.  [7]

Недостаток такого представления - частотная зависимость параметров приборов - несуществен, так как УПЧ обычно имеют фиксированную настройку и для расчета основных качественных показателей достаточно знать параметры усилительного прибора на номинальной промежуточен частоте. Усилительный прибор в виде активного линейного четырехполюсника показан на рис. 2.2. Он имеет три электрода: / - управляющий, i - выходной, о - общий. Управляющий и общий электроды образуют входную цепь или цепь управления усилительным прибором. К этой цепи подводится напряжение и / усиливаемого сигнала.  [8]

9 Зависимость дисперсионного параметра qc от отношения частот ( ох / о холостой волны и накачки ( сплошная линия - теоретическая. [9]

На рис. 3.9 показана измеренная частотная зависимость параметра 7С, ответственного за ЧМ сигнального импульса.  [10]

11 Низкочастотная Т - образная эквивалентная схема с генератором тока.| Высокочастотная Т - образная эквивалентная схема. [11]

Эта схема не отражает частотной зависимости параметров транзистора и пригодна в основном для расчета низкочастотных усилителей, работающих в режиме А.  [12]

13 Частотные зависимости постоянной. [13]

На рис. 5.23 представлены графики частотных зависимостей параметров аи ( 5 для рассматриваемого фильтра.  [14]

Это указывает на то, что частотные зависимости параметров транзистора в схеме с общим эмиттером начинают проявляться на значительно более низких частотах, чем в схеме с общей базой.  [15]



Страницы:      1    2    3