Частотная зависимость - параметр
Cтраница 2
Частотная зависимость основных параметров полевого транзистора показана на рис. 16.33. Частотная зависимость параметров Y2i и G22 также обусловлена наличием у ПТ междуэлектродных емкостей и немодулированных сопротивлений в цепях электродов. [16]
Для этого сначала рассмотрим область низких частот, пренебрегая емкостями и частотной зависимостью параметров. Кроме того, исключим из рассмотрения сопротивление г6, одинаковое для обеих схем. [17]
Для этого сначала рассмотрим область низких частот, пренебрегая емкостями и частотной зависимостью параметров. [18]
Как правило, бывает очень трудно воспользоваться общей теорией устойчивости активного четырехполюсника из-за слишком сложной частотной зависимости параметров матрицы транзистора. [19]
Положим в основу анализа выражение ( 11 - 10), но учтем при этом частотную зависимость параметров. [20]
 |
Принципиальная схема усилителя. [21] |
К этому типу обычно относятся усилители, работающие на частотах, при которых уже нельзя пренебрегать частотной зависимостью параметров транзистора. Для современных транзисторов эти частоты вплотную приближаются к предельным частотам для приемно-уси-лительных ламп. [22]
 |
Частотная зависимость коэффициента затухания и коэффициента О фазы однородной цепи. [23] |
Поскольку в области высоких частот величина ZB практически от частоты не зависит, характер частотной зависимости коэффициента затухания а определяется частотной зависимостью параметров R и G. R вследствие поверхностного эффекта с ростом частоты увеличивается примерно пропорционально корню квадратному из частоты. Величина G за счет потерь в диэлектрике с ростом частоты увеличивается пропорционально частоте. [24]
Длина отрезков линий передачи, соединяющих элементы СВЧУ, должна быть минимальной, чтобы свести к минимуму вносимые ими потери и частотную зависимость параметров этих элементов и СВЧУ в целом. Известно, что частотная зависимость входного импеданса отрезка линии, нагруженного на некоторый импеданс Z, тем сильнее, чем больше электрическая длина этого отрезка. [25]
Предельная частота непосредственно не определяет частотный предел использования транзистора, а ограничивает ту область частот, в пределах которой можно пренебречь частотной зависимостью параметров. [26]
Если же усилитель используется в области частот более 1 - 2 кгц, то необходимо учитывать крк влияние емкости коллекторного перехода Cf, так и частотную зависимость параметров аир транзисторов. [27]
Волновые явления в электрических машинах, как известно, описываются системами дифференциальных уравнений. При использовании АВМ учет частотных зависимостей параметров достаточно сложен. В этих случаях пользуются усредненными постоянными значениями параметров. В тех случаях, когда в расчет необходимо внести уточнения, следует учесть влияние дальних связей в явной форме. [28]
С ростом частоты усилительные свойства триода ухудшаются, что проявляется в увеличении расхода мощности на входе лампы, падении выходной мощности и уменьшении усиления. Как и в диоде, частотная зависимость параметров триода определяется не только влиянием междуэлектродных емкостей лампы, но и инерционностью электронного потока. [29]
Характеристическое затухание и характеристическая фазовая постоянная параллельно-производного звена типа т выражается теми же ф-лами (5.11) и (5.13), что и в случае последовательно-производного звена. Эти же формулы при т 1 определяют частотную зависимость параметров П - образного звена типа К. [30]
Страницы: 1 2 3