Cтраница 2
Сохранение положительного знака темп-рной зависимости деформации в области высоких темп-р - рост деформации с темп-рой у трехмерных полимеров вместо ее уменьшения - также говорит о том, что ни на одной частоте не наблюдается равновесная высокоэластич. [16]
На рис. 3 приведены темп-рные зависимости tg б и е полипропилметакрилата и его хлорпроизводных. Замещение ХС1 приводит к образованию диполя, встроенного одвим концом в основную цепь. Замещение R C1 создает полярную группу СС1 на конце боковой цепочки. В полипропилметакрилате ( X R - CH3) при 50 - 100 С наблюдаются частично совмещенные по температуре ДГ - и ДС-потери, связанные с дипольной поляризацией групп СОО боковых цепей. В полимерах с R C1 область ДС-потерь тоже сдвинута к высоким Т, но, кроме того, здесь появляется область максимума tg 6 для ДГ-потерь ( и соответствующий ей перегиб е) при темп - pax от - 120 до - до С. [18]
На рис. 3 приведены темп-рные зависимости tg б и в полипропилметакрилата и его хлорпроизводных. Замещение Х С1 приводит к образованию диполя, встроенного одним концом в основную цепь. Замещение R C1 создает полярную группу СС1 на конце боковой цепочки. В полипропилметакрилате ( X R CH3) при 50 - 100 С наблюдаются частично совмещенные по температуре ДГ - и ДС-потери, связанные с диполыюй поляризацией групп СОО боковых цепей. В полимерах с R C1 область ДС-потерь тоже сдвинута к высоким Т, но, кроме того, здесь появляется область максимума tg б для ДГ-потерь ( и соответствующий ей перегиб е) при темп - pax от - 120 до - 90 С. [20]
Типичные результаты, полученные при исследовании темп-рной зависимости уд. [22]
Вторая ( контактная) составляющая - следствие темп-рной зависимости контактной разности потенциалов. [23]
Наличие множителя ( ДГ) - 2 в показателе свидетельствует об исключительно сильной темп-рной зависимости скорости образования зародышей. Это относится ц к размерам критич. [24]
![]() |
Зависимость скорости образования первичных зародышей от температуры. [25] |
Наличие множителя ( АГ) - 2 в показателе свидетельствует об исключительно сильной темп-рной зависимости скорости образования зародышей. Это относится и к размерам критич. [26]
Столкновения фононов друг с другом обеспечивают конечное значение длины свободного пробега фононов и объясняют темп-рную зависимость коэфф. Мели колебания вокруг положений равновесия совершают ионы, то эти ко лебання сопровождаются колебаниями дипольных моментов. Это приводит к резонансной зависимости днзлектрнч. При этом, естественно, выполняются законы сохранения энергии и квазинмпульса. [27]
ПТ на основе ВаТЮ3 в области темп-р, соответствующих тетрагонально-кубическому фазовому переходу, имеют аномальную для полупроводников темп-рную зависимость сопротивления: сопротивление резко увеличивается с темп-рой на неск. [29]
В полях, напряженность к-рых не превышает 103 в / см, фототек подчиняется закону Ома, а темп-рная зависимость фототока носит экспоненциальный характер. Указанное явление объясняется тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания. [30]