Cтраница 3
Соответствующая зависимость для некоторых изомеров полиметилбензолов отклоняется от линейной. К линейной зависимости A ( AG) от п ближе изомеры, в которых заместители СН3 находятся в орто-положении. Вклад группы СНз в A ( AG) для полиметилбензолов в этом случае составляет около 440 Дж / моль. Различия в Ке и A ( AG), приведенные в табл. 14.6, достаточны для разделения этих соединений. На рис. 14.17 показаны хроматограммы ряда членов гомологического ряда моно-м-ал-килбензолов ( рис. 14.17, а) и полиметилбензолов ( рис. 14.17 6), а на рис. 14.17, в - хроматограммы изомеров моноалкил - и полиметилбензолов. [31]
Соответствующие зависимости по многорядным системам имеют более плавный характер, но не отличаются от соответствующих кривых по залежам, разрабатываемым двумя-тремя рядами эксплуа-тационых скважин. [32]
![]() |
Структуры чередования. [33] |
Соответствующие зависимости, как предполагалось, описываются ламбда-кривыми. [34]
Соответствующие зависимости для е2 и е3 получаются путем круговой перестановки индексов. [35]
![]() |
Изменение соотношения накопленного общего выпуска стандартных образцов ( по числу типов и обеспеченности ими с течением времени. [36] |
Соответствующие зависимости могут быть использованы для прогноза и расчета необходимых ресурсов применительно не только ко всему множеству типов, но и к отдельным подмножествам. Для простоты не учитывается наличие СО разных категорий или потребность в них: принято, что в соответствующих случаях СО нужен в принципе. [37]
![]() |
Моностабильный оптрон. а - схема. б - зависимость выходной яркости от освещенности на входе. 1 - входной световой сигнал. 2 - выходной.| Схема оптроново накопительной цепочки. [38] |
Соответствующая зависимость В от L ( рис. 2 6) близка но виду к экспериментальным результатам. [39]
![]() |
Зависимость среднего числа Шервуда для капли от относительной интенсивности деформационного и поступательного течений. [40] |
Соответствующая зависимость показана на рис. 1.6 сплошной линией. [41]
Соответствующие зависимости установлены и для относительной стоимости потребляемого металла. [43]
Соответствующая зависимость для GaP / GaAs приведена на рис. 4.23. Энергия активации процесса равна 45 ккал / моль и сравнима со значением 39 ккал / моль, установленным для автоэпитаксиального роста GaAs в аналогичных условиях. [44]
Соответствующая зависимость показана на рис. 30 штриховой линией. [45]