Температурная зависимость - концентрация
Cтраница 1
Температурные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда приводят к тому, что у обычных полупроводников удельное сопротивление возрастает при подходе к О К. Однако в полупроводниках с большой концентрацией примесей при низких температурах наблюдается электропроводность в примесной зоне и удельное сопротивление имеет некоторое конечное значение. [1]
Температурная зависимость концентрации дефектов в кристалле чистого простого вещества, в котором вакансии могут захватывать по два электрона. [2]
Температурная зависимость концентрации дефектов в простом твердом веществе, находящемся в равновесии с паром, в котором активность примеси F постоянна. [3]
Температурные зависимости концентраций атомов внедрения с ( р) и эффективных параметров дальнего порядка г ( р) в трех подрешетках октаэдри-ческих междоузлий могут быть определены с помощью соотношений (14.35), связывающих с ( р) и ц ( р) с истинными параметрами дальнего порядка. [4]
 |
Зависимость электропроводности невырожденного полупроводника n - типа от температуры и концентрации доноровNa ( Ndl Nd2 Nd3. [5] |
Температурная зависимость концентрации основных носителей в легированном полупроводнике зависит от ионизации примеси и представлена на рис. 3.23 для полупроводника п-ти-па. Аналогичные зависимости наблюдаются и для дырок в полупроводниках р-типа. [6]
 |
Вольт-амперная характеристика диода в прямом направлении при двух значениях температуры. [7] |
Температурная зависимость концентрации собственных носителей заряда влияет в основном на зависимость от температуры падения напряжения на переходах диода. В то же время температурные зависимости подвижностей и времен жизни электронов и дырок преимущественно влияют на зависимость от температуры падения напряжения на базе диода. В случае кремниевых диодов при температурах вплоть до 200 - 300 С падение напряжения на базах возрастает с температурой, причем этот рост примерно пропорционален температуре. [8]
Исследование температурной зависимости концентрации и подвижности носителей тока позволяет установить верхний температурный предел эффективной работы триода. Отсюда ясно значение постоянной Холла как важной характеристики свойств вещества, предназначенного для изготовления полупроводниковых усилителей. [9]
Рассмотрим теперь температурную зависимость концентрации электронов в полупроводнике n - типа. [10]
Рассмотрим теперь температурную зависимость концентрации электронов в примесном полупроводнике и-типа. На рис. 1.5 показаны графики зависимости концентрации электронов от температуры для кремния при различных концентрациях доноров. [11]
Рассмотрим температурную зависимость концентрации свободных электронов. В соответствии с принципом Паули2, при температуре Т О К электроны располагаются по два на каждый уровень, начиная с самого нижнего до самого высокого, определяемого числом свободных электронов. В этом случае электронный газ полностью вырожден. Уровень, который отделяет полностью заполненные уровни от полностью незаполненных, называется уровнем Ферми ( энергией Ферми) Ef. [12]
Используя рассмотренные выше температурные зависимости концентрации свободных носителей и их подвижности, нетрудно объяснить зависимости проводимости от температуры, которые показаны на рис. 1.14 для примесных кремния и германия в наиболее важном для практики диапазоне температур. [13]
Что касается температурной зависимости концентраций дефектов, то в случае нестехиометрических соединений она определяется температурной зависимостью целого ряда констант равновесия квазихимических реакций между дефектами и не имеет такого наглядного физического смысла, как в случае собственных или примесных полупроводников. В конечном итоге она определяется энергетическим эффектом весьма сложной квазихимической реакции, приводящей к возникновению дефектов данного сорта. [14]
При анализе температурной зависимости концентрации реальных примесных полупроводников, помимо явления возможной компенсации примесей, следует учитывать еще некоторые особенности. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5