Температурная зависимость - концентрация
Cтраница 3
 |
Температурные зависимости удельной проводимости полупроводника при различных концентрациях примесей. [31] |
Поэтому температурная зависимость удельной проводимости похожа на температурную зависимость концентрации носителей при очень малых и при больших температурах. В диапазоне температур, соответствующих истощению примесей, когда концентрация основных носителей заряда остается практически неизменной, температурные изменения удельной проводимости обусловлены температурной зависимостью подвижности. [32]
Таннхаузера [52], представлен построенный по данным Курника график температурной зависимости концентрации собственных атомных дефектов в стехиометрическом кристалле AgBr. На основании рисунка можно заключить, что при низких температурах преобладает разупорядочение по Френкелю, а при высоких - по Шоттки. [33]
Резкое изменение термо - ЭДС с температурой связано со значительной температурной зависимостью концентрации свободных носителей. Большие величины энергий активации, полученные в этом случае, позволяют предположить, что образование свободных носителей связано с межзонным переходом электронов и удвоенное значение ДЕ, рассчитанное по формуле а о0 ехр - - ( - А. СГ), дает величину запрещенного интервала энергий Eg. [34]
 |
Зависимость подвижности дырок от обратной температуры для комплекса пирен - тетрацианэтилсн. [35] |
В принципе этим методом можно было бы примерно определить и температурную зависимость концентрации свободных носителей, изучая зависимость У от температуры. [36]
Как видно из формулы ( 15) для а, сюда не входит температурная зависимость концентрации свободных носителей. [37]
Как видно из формулы ( 15) для к, сюда не входит температурная зависимость концентрации свободных носителей. С другой стороны, зависимость коэффициента диффузии ( и подвижности) от температуры или средней кинетической энергии е невырожденных носителей играет существенную роль. [38]
Принципиальная разница между металлами и полупроводниками заключается в температурном ходе электропроводности и в температурной зависимости концентрации носителей тока. В то время как металлы с повышением температуры понижают свою электропроводность, у полупроводников с ростом температуры она увеличивается. Температурный коэффициент проводимости у металлов имеет отрицательный знак, а у чистых полупроводников - положительный. При абсолютном нуле полупроводники превращаются в изоляторы. В этих же условиях электропроводность металлов неизмеримо возрастает, а многие из них переходят в сверхпроводящее состояние. [39]
Значения энергий активации доноров и акцепторов в фосфиде галлия были получены на основе температурной зависимости концентрации носителей тока. Для материала n - типа, содержащего при комнатной температуре 1017 носителей в 1 см., была получена энергия активации примерно 0 07 эв1), а для материала р-типа примерно с такой же концентрацией носителей было приведено [3] значение энергии активации примерно 0 04 эв. При таких довольно высоких концентрациях примесные уровни предположительно должны расширяться вследствие взаимодействия. [40]
 |
Зависимость проводимости примесных полупроводников от. [41] |
Температурная зависимость электропроводности невырожденных примесных полупроводников, как и собственных, определяется в основном температурной зависимостью концентрации носителей. [42]
Сплошные линии отвечают высокой концентрации магния, а пунктирные - низкой; в - кривая температурной зависимости концентрации дефектов в LiBr Mg, на которой виден эффект осаждения. [43]
Поскольку кинетические коэффициенты, входящие в ( 20), зависят от температуры, это выражение определяет и температурную зависимость концентрации димеров в паровой и жидкой фазах. [44]
ПБГ-ДМФ с теоретическими фазовыми диаграммами для всех трех рассмотренных вариантов обнаруживает наиболее близкое качественное совпадение с диаграммой для модели с жесткими проницаемыми стержнями, хотя температурная зависимость концентраций сосуществующих фаз в узкой области диаграммы фазового равновесия не отвечает эксперименту. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5