Температурная зависимость - подвижность
Cтраница 1
Температурная зависимость подвижности получается различной в обоих случаях. Эта зависимость была получена Холштейном [161, 162], который использовал результаты теории переноса малых поляронов [396, 290, 86] применительно к молекулярным кристаллам. [1]
 |
Температурные зависимости подвижности электронов ( цп, сплошные линии и дырок ( Рф, пунктирные линии в Si. Параметр - концентрация электронов ( JVa и дырок ( Wa. [2] |
Температурные зависимости подвижности для электронов и дырок в Si и GaAs приведены на рис. 2.19 и 2.20 соответственно. [3]
 |
Экспериментальные кривые. [4] |
Температурная зависимость подвижности ц определяется характером рассеяния носителей. Величину подвижности ц, с учетом двух видов рассеяния выражают зависимостью 1 / ц l / fir, l / Hi, имеющей максимум при некоторой температуре Т, который при уменьшении концентрации примеси смещается в сторону более низких температур. [5]
Температурная зависимость подвижности дырок в чистых образцах при температурах выше 100 К примерно следует закону Т1 - 1 - 8 ( фиг. [6]
Температурная зависимость подвижности электронов проводимости и дырок в валентных полупроводниках при рассеянии на акустических фононах и ионизованной примеси; кривая 2 соответствует большей концентрации примеси. [7]
Измерение температурной зависимости подвижности в кристаллах с ковалентными связями показало, что в ряде случаев ( я - Ge, я - InSb, Те) закон Т - выполняется удовлетворительно, однако часто наблюдаются значительные отступления от него. [8]
График температурной зависимости подвижности поляронов, соответствующий формуле (6.88) при рассеянии на оптических фононах, схематически изображен на рис. 6.11 в координатах Аррениуса. Здесь обращает на себя внимание ход кривой, противоположный представленному на рис. 6.8; в отличие от квазисвободных электронов в атомных полупроводниках подвижность поляронов малого радиуса имеет минимум в области промежуточных температур. Пунктирный участок кривой изображает переход к рассеянию туннелирующих поляронов на заряженных точечных дефектах решетки, играющих в ионных кристаллах ту же роль, что и примесные ионы в валентных полупроводниках. [9]
 |
Структура и зоееая схема гетероперехода с модулированным легероваееем между GaAs e. i - AlGaAs. Ec e EF - део зоеы проводемосте е эеергея Ферме. [10] |
Из вида температурной зависимости подвижности электронов в Si и GaAs можно сделать вывод о том, что при низких температурах предел подвижности носителей определяется в конечном счете рассеянием на ионизованных примесях. [11]
При описании температурной зависимости подвижности дырок, как было показано в [1303], наряду с рассеянием носителей на оптических фононах [1300] необходим учет влияния непараболичности зоны легких дырок. [12]
В случае дырок температурная зависимость подвижности согласуется с зонной моделью во всех кристаллографических направлениях, т.е. дырки - Т - п, п 1, как видно из рис. 2.6.8. Появление максимума на кривой при низких температурах является результатом действия двух механизмов: в соответствии с зонным характером переноса дырки ее подвижность повышается при уменьшении температуры. [14]
Для перескокового механизма температурная зависимость подвижности более сложная. При сильном электрон-решеточном взаимодействии подвижность быстро увеличивается с повышением температуры. Если, однако, уЮ, то подвижность может не изменяться или уменьшаться с повышением температуры. Таким образом, положительный температурный коэффициент подвижности не является критерием перескокового механизма проводимости, за исключением полярных кристаллов, где - у велико. Если условия, при которых действительно уравнение ( 52), выполняются, то энергия активации перескоков имеет порядок 0 1 эв. [15]
Страницы: 1 2 3 4