Температурная зависимость - подвижность
Cтраница 2
Поэтому при анализе температурной зависимости подвижности в теории рассеяния необходимо находить дифференциальное эффективное сечение а ( Э, ф) для конкретных механизмов рассеяния. [16]
Очевидно, что наблюдаемая температурная зависимость подвижности будет до некоторой степени зависеть от магнитного ноля. Однако для тех напряжснностей, с которыми мы имели дело, зависимость от поля, по-видимому, обнаруживает насыщение. Общая форма температурной зависимости, наблюдавшаяся как в этих, так и в высокоомных образцах, легированных железом, типична для однородных образцов германия высокой частоты, оправдывая расчет энергий ионизации по кривым сопротивления. [17]
На рис. 6.16 показаны температурные зависимости подвижностей трех пленочных образцов, данные о которых измерены в широком диапазоне температур. Для двух из них показаны соответствующие зависимости при освещении. [19]
На рис. 3 приведены температурные зависимости подвижности электронов в эпитаксиальных слоях, выращенных на плоскости ( 100) из промежутка 0 7 мм с начальной скоростью охлаждения 0 5 С / мин. Концентрация электронов составляла 1 1016 см-3 и изменялась менее чем в 2 раза в интервале 77 - 300ЭК, что соответствует изменению Холл-фактора в этом же интервале температур. Из рис. 3 следует, что рассеяние электронов достаточно хорошо описывается комбинированным рассеянием на колебаниях решетки и ионизированных примесях. [20]
В противоположность случаю электронов температурная зависимость подвижности дырок, как показано на рис. 2.6.13 6, свидетельствует о наличии типичной зонной проводимости; / iL обозначает решеточную подвижность в отсутствие захвата. [21]
На рис. 5.7 приведена температурная зависимость подвижности электронов в собственном Si н-типа. Электрон-фононное взаимодействие для междолинного рассеяния на LO фононах вдоль направления А разрешено по соображениям симметрии, а на ТА фононах запрещено. Ферри [5.13] объяснил это не исчезающее рассеяние вкладом от фононов для направления, близкого ( но не идентичного) к А. [22]
В то же время наблюдавшаяся температурная зависимость подвижности не позволяет объяснить размытость фронта существованием ловушек, захватывающих дырки [ см. уравнение ( 25) ], так как при этом должен был бы наблюдаться активационный рост подвижности с повышением температуры. [23]
 |
Влияние давления на наблюдаемый импульс. [24] |
На рис. 15 приведена температурная зависимость подвижности электронов для тех же направлений в кристалле. [25]
На рис. 15 представлены температурные зависимости подвижности границы наклона 1П, ф 38, в алюминии и 1010, р 30, в цинке. Как показал анализ, примесью, ответственной за эффект в алюминии, является железо, в цинке - алюминий. [26]
Анализ показывает, что температурная зависимость подвижности электронных носителей тока в ионных кристаллах может быть весьма сложной, особенно при наложении различных механизмов рассеяния. Это приводит к значительным трудностям при интерпретации экспериментальных данных по температурной зависимости электропроводности нестехиометрических ионных кристаллов. Положение осложняется еще и тем, что концентрации как ионных, так и электронных дефектов в таких системах описываются простыми выражениями (5.61) и (5.91) только в предельных случаях, когда можно ограничиваться учетом двух типов доминирующих дефектов. В промежуточных же случаях интерпретация экспериментальных результатов часто оказывается чрезвычайно затруднительной. [27]
На этом же рисунке показана температурная зависимость подвижности электронов в слое арсенида галлия ( кривая 2), содержащем доноры с концентрацией 1017 см-3. [28]
На рис. 2.2 показаны кривые температурной зависимости подвижности ц ( 1 / Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике. [29]
На рис. 3.13 показаны кривые температурной зависимости подвижности и ( 1 / Т) при различных значениях концентрации легирующей примеси в невырожденном полупроводнике. [30]
Страницы: 1 2 3 4