Температурная зависимость - скорость - рост
Cтраница 2
В статье приведены результаты исследований методом высокотемпературной металлографии скорости роста кристаллов видманштеттового. В указанном интервале температур не обнаружено заметной температурной зависимости скорости роста. Обсуждаются возможные механизмы влияния легирующих элементов на скорость роста видманштеттового феррита. [16]
Простая запись уравнения Париса свидетельствует о том, что изменение скорости роста трещины однозначно определяется коэффициентом интенсивности напряжения. В результате этого одному значению скорости роста трещины может быть поставлено в соответствие множество коэффициентов интенсивности напряжения в пределах области их определения, которая соответствует стабильному этапу роста трещин. При таком подходе в описании процесса роста усталостных трещин параметры кинетической кривой не могут быть использованы в качестве констант материала и характеристик условий его нагруже-ния. Так, пример, рассматриваемый подход приводит к зависимости показателя степени тр от температуры испытания для жаропрочных сплавов [54], тогда как в ряде других работ [55, 56] показано, что температурная зависимость скорости роста трещины проявляется при неизменной величине показателя степени. [17]
 |
И. Зависимость толщины пленки SiO, от времени осаждения при ралличной температуре подложки Г75 ]. [18] |
В работе [80] пары тетраэтоксисилана подавались током очищенного аргона со скоростью от 0 1 до 2 л / мин. Были получены пленки толщиной от 200 до 20000 А. Температурная зависимость скорости роста пленок в основном определяется степенью разложения паров Si ( OC2H5) 4 при определенных температурах, что следует иа характера кривой. Установлено также, что изменение скорости потока аргона в пределах от 0 2 до 0 5 л / мин и температуры тетраэтоксисилана ( 20 - 90 С) не влияет на скорость роста пленки. При потоках выше 0 5 л / мин, скорость роста пленок уменьшается. Согласно [4], скорость осаждения при температуре образца 1000 С и температуре испарителя тетраэтоксисилана порядка 20 С в потоке гелия ( 300 см3 / мин) была равна - 0 125 мкм / мин. Более высокие скорости осаждения были достигнуты при повышении температуры испарителя до 90 С. Скорость осаждения, полученная в данных условиях, слабо увеличивается в процессе осаждения в течение 2 5 - 80 мин. Пиролиз тетраэтоксисилана в вакууме в сравнении с разложением при атмосферном давлении не приводит к заметному изменению скорости осаждения и тина образующихся пленок. Увеличивается лишь температура, при которой наблюдается начало образования белого порошкообразного покрытия. [19]
Страницы: 1 2