Температурная зависимость - уровень
Cтраница 1
Температурные зависимости уровня Ферми и концентрации электронов для кремния при различных удельных сопротивлениях показаны на рис. 2.16 и 2.17. Зависимости рис. 2.17 имеют по три характерных участка: область собственной проводимости, область истощения и область вымораживания носителей. [1]
Температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике можно найти, решая так называемое уравнение электро-нейтральиости, составляемое на основании условия электронейтральности единицы объема полупроводника. Условие электронейтральности требует, чтобы концентрации отрицательных и положительных зарядов были равны. [2]
Температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике можно найти, решая так называемое уравнение электронейтральности, составляемое на основании условия электронейтральности единицы объема полупроводника. Условие электронейтральности требует, чтобы концентрации отрицательных и положительных зарядов в единице объема были равны. [3]
 |
Температурные зависимости концентрации электронов ( а и уровня Ферми ( 6 в донорном полупроводнике с двумя типами донорной примеси при частичной компенсации доноров с энергетическим уровнем Ed. [4] |
При анализе температурной зависимости уровня Ферми как в чисто донорном, так и в частично компенсированном полупроводнике, проведенном в двух предыдущих параграфах, мы пользовались формулами для невырожденного полупроводника. Для некоторой концентрации примеси критерий невырожденного полупроводника Ес - F kuT может не выполняться, и полупроводник становится вырожденным. Проделанный таким образом расчет показывает, что с ростом концентрации примеси уровень Ферми, действительно, может приблизиться к зоне проводимости ближе чем на / г0Т и даже зайти в зону проводимости. [5]
На рис. 54 приведены температурная зависимость уровня Ферми в акцепторном полупроводнике. [7]
На рис. 54 приведена температурная зависимость уровня Ферми в акцепторном полупроводнике. [8]
На рис. 57, б приведена температурная зависимость уровня Ферми. [9]
 |
Температурные зависимости. [10] |
На рис. 55, б приведена температурная зависимость уровня Ферми. [11]
На рис. 57, б приведена температурная зависимость уровня Ферми. [12]
Соотношения (32.34) и (32.35) позволяют описать температурную зависимость уровня Ферми в данном полупроводнике. При Т - О уровень Ферми лежит в середине между дном зоны проводимости и донорным уровнем. При повышении температуры уровень Ферми поднимается к Ес, затем в связи с ростом Nc он проходит через максимум и начинает опускаться. [13]
Соотношения (32.34) и (32.35) позволяют описать температурную зависимость уровня Ферми в данном полупроводнике. При Г 0 уровень Ферми лежит в середине между дном зоны проводимости и донорным уровнем. При повышении температуры уровень Ферми поднимается к Ес, затем в связи с ростом Nc он проходит через максимум и начинает опускаться. [14]
В разделе 3, посвященном статистике равновесных полупроводников, определены температурные зависимости уровня Ферми для собственного и примесного полупроводников. Иллюстрируем это графическими построениями для донорного полупроводника, в который введены рекомбинационные центры, дающие глубокий энергетический уровень Et в верхней половине запрещенной зоны ниже мелкого уровня легирующих доноров. На рис. 55, а показаны три области: / - область ионизации примеси, 2 - область истощения п Nd, 3 - область собственной проводимости. [15]
Страницы: 1 2