Температурная зависимость - уровень
Cтраница 2
В главе 3, посвященной статистике равновесных полупроводников, определены температурные зависимости уровня Ферми для собственного и примесного полупроводников. Иллюстрируем это графическими построениями для донорного полупроводника, в который введены рекомбинационные центры, дающие глубокий энергетический уровень Et в верхней половине запрещенной зоны ниже мелкого уровня легирующих доноров. На рис. 57, а показаны три области: 1 - область ионизации примеси; 2 - область истощения n Nd; 3 - область собственной проводимости. [16]
Заметим, что для гипотетического полупроводника, у которого эффективные массы для плотности состояний электронов и дырок были бы равны, не наблюдалось бы температурной зависимости уровня Ферми, и этот уровень при любой температуре находился бы посредине запрещенной зоны. [18]
Оказывается, если уровень Et в донорном полупроводнике расположен в нижней половине запрещенной зоны, то аналогичный анализ зависимости времени жизни от уровня Ферми покажет, что области / / и / / / ( см. рис. 56) поменяются местами. Тогда при анализе температурной зависимости уровня Ферми мы получим аналогичную по виду с рис. 57, в зависимость In т / ( 1 / Т), но на участке / / угол q будет определяться не величиной А. [19]
Значение фэф однозначно характерному ет эмиссионные св-ва тела при данной его темн-ре. Температурная зависимость работы выхода фэф может быть обусловлена в первую очередь температурной зависимостью уровня электро-химич. Кроме того, следует учитывать, что эмиттирующая поверхность всех реальных веществ неоднородна но работе выхода. [20]
Значение фэф однозначно характеризует эмиссионные св-ва тела при данной его темп-ре. Температурная зависимость работы выхода фэф может быть обусловлена в первую очередь температурной зависимостью уровня электро-химич. Кроме того, следует учитывать, что эмиттирующая поверхность всех реальных веществ неоднородна по работе выхода. [21]
Очевидно, что вид зависимости In p / ( 1 / Т) аналогичен приведенному на рис. 41с заменой A. Температурная зависимость уровня Ферми в акцепторном полупроводнике с одним типом акцепторов не будет выглядеть симметричной относительно уровня Et вследствие одинакового поведения кривой F ( Т) для донорного и акцепторного полупроводника в области собственной электропроводности. [22]
Очевидно, что вид зависимости In р / ( 1 / Т) аналогичен приведенному на рис. 43 с заменой A. Температурная зависимость уровня Ферми в акцепторном полупроводнике с одним типом акцепторов не будет выглядеть симметричной относительно уровня Et вследствие одинакового поведения кривой F ( Т) для донорного и акцепторного полупроводника в области собственной электропроводности. [24]
При изменении металла окислительно-восстановительная емкость меняется очень мало. Однако при изменении окружения металла эта характеристика изменяется значительно сильнее. Для случая твердого тела формулы требуют дальнейшего уточнения с учетом температурной зависимости уровня Ферми. [25]
Такой анализ, проведенный для InSb, показывает, что уже при температурах Т 440 К уровень Ферми лежит внутри зоны проводимости. Быстрое температурное вырождение в области собственной проводимости связано в узкозонных полупроводниках с двумя основными причинами: малой шириной запрещенной зоны и большим различием эффективных масс электронов и дырок, приводящим к более быстрому повышению уровня Ферми с температурой. Заметим, что для гипотетического полупроводника, у которого эффективные массы для плотности состояний электронов и дырок были бы равны, не наблюдалось бы температурной зависимости уровня Ферми, и этот уровень при любой температуре находился бы посередине запрещенной зоны. [27]
Страницы: 1 2