Оседание - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Оседание - электрон

Cтраница 1

Оседание электронов на положительно заряженных сетках в многосеточной лампе при отсутствии специальной фокусировки электронного потока в зазоры между ее витками сходно с обычным токораспределением в триоде в режиме перехвата в большой области изменения потенциалов электродов. [1]

Распределение амплитуды поля F ( сплошная линия и величины Ф ( штриховая линия в пространстве взаимодействия на нелинейном этапе процесса установления в различные моменты времени при У а 3, / 1 8, Д. 0 05, Дт 0 025 ( а. стационарное состояние, полученное путем численного решения при тех же параметрах ( б. Жирной точкой показана граница области оседания электронов на замедляющую систему. [2]

Начинается оседание электронов на замедляющую систему вблизи коллекторного конца лампы. [3]

Фазовая селекция при циклотронном движении элек. [4]

Поэтому оседание электронов неправильной фазы происходит а внешнем электроде, а не на внутреннем, в отличие от цилиндрической ( системы, упоминавшейся выше. [5]

Образование спиц в магнетроне. [6]

При оседании электронов на коллектор их кинетическая энергия превращается в тепловую и рассеивается. Электронный кпд прибора определяется соотношением между долей кинетической энергии, перешедшей в энергию свч поля, и полной кинетической энергией, которой электрон обладал при входе в пространство взаимодействия. В силу сказанного выше значительная часть полной энергии превращается на коллекторе в тепловую, и электронный кпд приборов типа О обычно далек от единицы. [7]

По мере оседания электронов на второй пластине конденсатор заряжается. Нетрудно видеть, что поле в промежутке между пластинами препятствует движению последующих электронов. Для того чтобы попасть на вторую пластину, вылетевший электрон должен совершить некоторую работу. [8]

Изменение топологии поверхности Ферми при электронном топологическом переходе. а - появление новых полостей. 6 - разрыв перемычки. Количество и расположение перемычек и новых полостей определяется симметрией кристалла. так, на а показан случай кубического кристалла-6 полостей ( изображена проекция яа одну из плоскостей симметрии.| Зависимость дифференциальной термоэдс а / Т сплава Li - Mg or концентрации Mg при различных температурах Т.. 4 2 К. 2 78 К. 3 300 К. При концентрации Mg ок. 20 атомных % происходит электронный топологический переход типа разрыва перемычки. [9]

Поэтому для предупреждения оседания электронов пучка на поверхности пролетного канала радиус проводящей трубки, сквозь к-рую пропускается интенсивный пучок, выбирается на 20 - 30 % больше радиуса пучка. [10]

Следует заметить, что оседание электронов на резонаторах можно было бы уменьшить, увеличивая проходные отверстия в них, однако это невыгодно с точки зрения эффективности взаимодействия высокочастотного поля с электронами луча, так как при этом существенно снижается высокочастотное поле в центре луча. [11]

Схема многорезонаторного клистрона. [12]

Для уменьшения потерь, вызванных оседанием электронов на стенки пролетных трубок, и увеличения плотности пучка применяется дополнительная фокусировка продольным магнитным полем по всему пролетному пространству. [13]

Ту часть пространства взаимодействия, на протяжении которой имеет место оседание электронов на замедляющую систему, будем называть областью оседания. На границе этой области Ф 0 95; функция G имеет максимум 6г ( Ф) - 4 2, поэтому взаимодействие наиболее эффективно. Для лучшего понимания развития процесса установления, описанного ниже, удобно следить за перемещением граничной точки области оседания. [14]

При расчете зависимостей, представленных кривой 2 на рис. IV.8, учитывалось оседание электронов на систему. Сам факт снижения пускового тока с увеличением амплитуды пульсаций связан с тем, что электроны пульсирующего пучка начинают попадать в более сильное высокочастотное поле, благодаря чему улучшается взаимодействие пучка с полем. [15]

Страницы: 1 2 3