Оседание - электрон
Cтраница 2
 |
График функции С. ( Ф. [16] |
Отметим, что в отличие от работы [50], здесь нами не учитывается оседание электронов на отрицательный электрод, которое в общем-то несущественно. [17]
Вначале ток в лампе растет с ростом анодного напряжения, что объясняется рассасыванием электронного облака около катода и уменьшением оседания электронов из облака на катоде. [18]
В сгустках действуют значительные силы электростатического расталкивания; на большом пути пролета их действие может привести к расхождению электронного пучка и оседанию электронов на спирали. Чтобы предотвратить расхождение пучка, лампу помещают в продольное магнитное поле электромагнита или постоянного магнита. [19]
Условие (2.219) показывает, что при достаточно большой величине второй производной U на границе пучка оптическая сила лин-вы возрастает настолько, что пучок перефокусируется, начинается оседание электронов на кольцо фокусирующей системы, токопрохождение нарушается. Наличие полосы запирания пучка, соответствующей переходу в область неустойчивости на диаграмме Матье, вообще характерно для систем периодической фокусировки. [20]
Таким образом, в лучевых приборах магнетронного типа нелинейные явления ( в частности, режим насыщения усиления в ЛБВМ) целиком объясняются увеличением в режиме больших сигналов поперечных ВЧ смещений пучка, приводящих к оседанию электронов на замедляющей системе. [21]
Следовательно, ток во внешней цепи электродов лампы связан с процессом движения электронов и наведением на электродах переменных зарядов. Возникновение тока не зависит от оседания электронов на какой-либо электрод. [22]
Выше было рассмотрено определение катодного тока, протекающего в первом эквивалентном диоде. В последующих эквивалентных диодах ток может уменьшаться вследствие двух причин: оседания электронов на сетках, имеющих положительный или нулевой потенциал, и ограничения тока объемным зарядом, что может быть при больших плотностях тока. [23]
 |
Распределения амплитуды поля по длине ЛОВМ, найденные путем численного решения уравнения стационарной нелинейной теории при. [24] |
Результаты такого решения представлены на рис. 9.8. Применительно к ЛОВМ-генератору без отражений изображенные кривые можно интерпретировать следующим образом. С ростом FQ она вначале уменьшается, что связано с подъемом электронов к замедляющей системе, а затем оседание электронов на систему приводит к увеличению нормированной длины. Точки перегиба кривых, показанных на рис. 9.8, соответствуют началу оседания электронов на замедляющую систему. [25]
Черновым ( см. § 2.4), имеют некоторые преимущества: малый вес и высокую экономичность фокусирующей системы благодаря отсутствию магнитных катушек и магнитопроводов, невозможность попадания положительных ионов на катод и, как следствие, большой срок службы катода. Однако при больших величинах первеанса действие пространственного заряда в этих системах не удается скомпенсировать увеличением разности потенциалов между обкладками цилиндрического конденсатора - пучок становится неустойчивым, увеличивается оседание электронов на электроды. [26]
Уравнения ЛОВМ были получены в предыдущем параграфе. Поэтому здесь лишь отметим, что для кинематической модели ЛОВМ в адиабатическом приближении характерным является режим одночастотной генерации. Это обусловлено оседанием электронов на замедляющую систему, что определяет основной нелинейный эффект в ЛОВ М - типа. Как и для ЛОВ ПП взаимодействия в ЛОВМ носят силовой характер, механизмы излучения - циклотронный и че-ренковский. [27]
Флуоресценция обусловлена самопроизвольными переходами атомов или молекул люминофора из возбужденного состояния в нормальное. Фосфоресценция обусловлена наличием мстастабильных возбужденных состояний атомов и молекул, переход из которых в нормальное состояние затруднен по тем или иным причинам ( стр. Например, в полупроводниках р-типа это связано с оседанием электронов на акцепторных уровнях ( стр. Переход из метастабильного состояния в нормальное возможен лишь в результате дополнительного возбуждения, например теплового. [28]
Результаты такого решения представлены на рис. 9.8. Применительно к ЛОВМ-генератору без отражений изображенные кривые можно интерпретировать следующим образом. С ростом FQ она вначале уменьшается, что связано с подъемом электронов к замедляющей системе, а затем оседание электронов на систему приводит к увеличению нормированной длины. Точки перегиба кривых, показанных на рис. 9.8, соответствуют началу оседания электронов на замедляющую систему. [29]
В случае ЛОВ-О электронный поток имеет очень малую толщину, намного меньшую, чем размеры б-области, где ВЧ поле убывает в е раз. Это продиктовано необходимостью эффективной группировки электронов и жесткими требованиями к величине и степени однородности фокусирующего магнитного поля. Невыполнение этих условий-приводит к резкому падению мощности генерируемых колебаний из-за пульсации границ электронного пучка и оседания электронов на ЗС. [30]
Страницы: 1 2 3