Спектральная зависимость - фотопроводимость
Cтраница 1
 |
Спектры фоторезистивного эффекта в области собственного поглощения. [1] |
Спектральная зависимость фотопроводимости в первую очередь определяется спектральной зависимостью скорости генерации. [2]
 |
Энергетические уровни примесей в полупроводнике.| Спектр примесного поглощения света мышьяком.| Возникновение э. д. с. на обкладках полупроводника при освещении светом. [3] |
Спектральная зависимость фотопроводимости в основном определяется спектральной зависимостью скорости генерации носителей. [4]
Спектральная зависимость фотопроводимости соответствует зависимости а и т ] от энергии квантов. Фотопроводимость возникает при возбуждении только таким излучением, когда энергия фотонов превышает некоторое пороговое значение. При собственном поглощении пороговая энергия определяется шириной запрещенной зоны, а при примесном - энергией активации соответствующего уровня примесного центра. На рис. 2.6 показана спектральная зависимость фотопроводимости. [5]
Исследование спектральной зависимости фотопроводимости и ее изменение при изменении температуры и дополнительной подсветки, а также исследование нарастания и спада фотопроводимости представляют собой мощный инструмент исследования структуры энергетических зон полупроводника, энергетического положения глубоких и мелких примесных состояний, сечения их фотоионизации и сечений захвата ими носителей заряда, времени жизни носителей заряда и идентификации примесей в полупроводниках. [6]
Воспользовавшись графиком спектральной зависимости фотопроводимости, несложно найти отношение фотопроводимостей образца на двух длинах волн, для которых выполняется условие поверхностной генерации носителей заряда. [7]
 |
Спектры поглощения тетрафенилпорфина. [8] |
Первое исследование спектральной зависимости фотопроводимости принадлежит Вартаняну [10], который показал, что для полученных осаждением из растворов тонких слоев трипафлавина, имеющего сравнительно узкую полосу поглощения, кривая спектрального распределения фотоэлектрической чувствительности зависит от толщины слоя. [9]
Вопрос о спектральной зависимости фотопроводимости будет еще затронут ниже в связи с работами по исследованию поверхностной рекомбинации и по методам определения оптических энергий активации фотопроводимости органических фотопроводников. [10]
Выражение (4.13) описывает спектральную зависимость фотопроводимости полупроводникового материала, так как коэффициент поглощения а зависит от длины волны света. [11]
 |
Зависимость фотопроводимости германия с примесями Mn, Ni, Со и Fe от энергии фотонов AV. [12] |
На рис. 1.40 показаны спектральные зависимости фотопроводимости германия с различными примесями. Энергия, соответствующая длинноволновой границе фотопроводимости примеси, близка к энергии ее термической ионизации. [13]
Как указывалось выше, спектральная зависимость фотопроводимости электронных и дырочных образцов в примесной области по существу одинакова. Однако относительная величина фототока на определенном участке спектра, например при 0 5 эв, заметно отличается у образцов различного типа проводимости. Относительная фотопроводимость, выраженная в произвольных единицах, колеблется в интервале от 1 до 10 единиц для дырочных образцов и от 102 до 104 единиц для электронных образцов. Постоянные времени последних примерно в 10 - 100 раз превышают соответствующие значения для дырочных образцов. [14]
Результат экстраполяции порогового хода спектральной зависимости фотопроводимости показан на рис. 2.3.3. Из-за малой чувствительности формы функции ( hv - E) к значениям л в пределах 2 5 4 делать какие-либо заключения о применимости теории для уточнения значений п в этих пределах не представляется возможным. [15]
Страницы: 1 2