Спектральная зависимость - фотопроводимость
Cтраница 2
 |
Спектральная зависимость фотопроводимости в комплексе пирена с тетрацианэтиленом. [16] |
На рис. 131 - 133 представлены спектральные зависимости фотопроводимости и поглощения для указанных трех комплексов. [17]
Исходя из того экспериментального факта, что для многих фотопроводников спектральная зависимость фотопроводимости в области ее длинноволнового спада следует экспоненциальному закону, Мосс показал, что оптическая энергия активации может быть определена по значению той длины волны, для которой фотопроводимость составляет половину от ее величины в максимуме, непосредственно предшествующем экспоненциальному падению. [18]
 |
Спектральная зависимость фотопроводимости аф ( Ъ вблизи края фундаментального поглощения. [19] |
Наличие процесса поверхностной рекомбинации может оказать влияние не только на стационарное значение фотопроводимости, но и на спектральную зависимость фотопроводимости. [20]
На экситонную природу оптического возбуждения, приводящего к фотопроводимости, указывают также Еременко и Медведев [47], которые на примере того же антрацена показали, что длина диффузионного пробега экситонов, определяемая из спектральной зависимости фотопроводимости ( если принять экситонное происхождение фотопроводимости), совпадает с длиной пробега экситонов, определяемой из спектральной зависимости интенсивности люминесценции. [21]
Результаты соответствующих исследований позволили сделать ряд заключений о характере системы поверхностных центров рекомбинации и захвата, которые были еще дополнены данными исследований рекомбинации и захвата при различных кристаллографических ориентациях поверхности образцов, а также результатами исследования спектральной зависимости фотопроводимости, обусловленной возбуждением поверхностных уровней. Эти результаты прежде всего позволили доказать непригодность часто использовавшегося предположения о преобладании в рекомбинации центров одного типа, которые определяют величину скорости поверхностной рекомбинации в ее максимуме. Последний эксперимент заслуживает несколько более подробного рассмотрения. [22]
Вероятно, аномальное поведение подвижности влияет на величину, а не на спектральную зависимость фотопроводимости в образцах одного и того же типа. В одном из образцов с примесью никеля спектральная зависимость фотопроводимости в интервале от 0 70 до 0 45 эв соответствовала электронному материалу, а в интервале от 0 45 до 0 22 эв-дырочному. [23]
Большой интерес представляет не только вопрос о механизме фотопроводимости в них, но и проблема определения местоположения примесных уровней исходя из спектральной зависимости фотопроводимости. Когда нижние уровни заполнены лишь частично, зависимость фотопроводимости от длины волны при гелиевых температурах имеет осциллирующий характер. [24]
В такой системе наблюдается увеличение фотопроводимости в 103 - 108 раз по сравнению с фотопроводимостью отдельно взятых полимера и акцептора. Так, для системы полифенилацетилен - хлоранил фотопроводимость Стф лежит в пределах 0 6 - 2 3 - К) - 7 ( Я 440 нм) по сравнению с ( Ti10 - 13 ом-1 см-1 для полимера без акцептора. Важно отметить, что спектральная зависимость фотопроводимости в длинноволновой области определяется спектром поглощения полимера. Эффект значительного увеличения фотопроводимости при создании гетерофазной системы полимер-акцептор наблюдается на большом числе полимеров с сопряженными связями. [25]
Вероятно, аномальное поведение подвижности влияет на величину, а не на спектральную зависимость фотопроводимости в образцах одного и того же типа. В одном из образцов с примесью никеля спектральная зависимость фотопроводимости в интервале от 0 70 до 0 45 эв соответствовала электронному материалу, а в интервале от 0 45 до 0 22 эв-дырочному. [26]
Спектральная зависимость фотопроводимости соответствует зависимости а и т ] от энергии квантов. Фотопроводимость возникает при возбуждении только таким излучением, когда энергия фотонов превышает некоторое пороговое значение. При собственном поглощении пороговая энергия определяется шириной запрещенной зоны, а при примесном - энергией активации соответствующего уровня примесного центра. На рис. 2.6 показана спектральная зависимость фотопроводимости. [27]
В полях с напряжением менее нескольких киловольт на 1 см фототек z изменяется по закону Ома. Это означает, что дырочный тип проводимости часто обусловлен присутствием адсорбированного кислорода - сильного акцептора электронов, изменяющего соотношение электронов и дырок в пользу последних. Как правило, знак носителей фототока совпадает со знаком темновых носителей. Органические полупроводники обнаруживают фотоэлектрическую чувствительность в широком диапазоне частот спектра. Изучение спектральной зависимости фотопроводимости показало, что в очень тонких слоях или в монокристалле максимальные значения фототока совпадают с максимумами в спектрах поглощения. Однако для обычных поликристаллических объектов в области максимума поглощения наблюдается минимум фототока. Это объясняют тем, что интенсивное образование носителей фототока, происходящее под действием поглощаемого света в объеме вещества, может не вызвать возрастания фототока из-за еще более интенсивной рекомбинации ( исчезновения) этих носителей, протекающей при освещении на поверхности. [28]
Спектральная, зависимость фототока в ИК области ( за краем собственного поглощения) определяется распределением ПЭС по запрещенной зоне полупроводника. Значение опэс слабо зависит от длины волны. Полосы фоточувствительности в областях 1 1 и 1 6 мкм связывают с дефектами радиационного типа на границе раздела. В видимой и ультрафиолетовой областях спектра наблюдается рост фототока с уменьшением X. Это соответствует спектральной зависимости фотопроводимости области поверхностного пространственного заряда ( рис. 10.7): jb-a Lp n / - - aLp n), где Lp n - длина диффузии неосновных носителей заряда. Увеличение фоточувствительности с ростом а соответствует поверхностному поглощению света. Наблюдаются также спектральные пики фототока, соответствующие зона-зонным переходам в окрестности критических точек зоцы Бриллюэна. [29]
Страницы: 1 2