Особенность - зонная структура
Cтраница 1
Особенности зонной структуры ( в эВ), наблюдаемые в УФ-спектрах, и их предварительные величины, соответствующие конкретным межзонным переходам. [1]
Особенности зонной структуры сплавов висмута с сурьмой делают эти объекты интересными и с практической и с теоретической точек зрения. [2]
Здесь рассматриваются образование зон, особенности зонной структуры металлов, полупроводников и диэлектриков, дается представление об электронном и дырочном полупроводниках. Подробно рассмотрен вопрос об образовании примесных уровней в полупроводнике как при внедрении чужеродных атомов различной валентности, так и при образовании вакантных мест в решетке. [3]
Оптические методы используются для исследования особенностей зонной структуры кристаллов. При этом основной характеристикой является отклик кристалла на электромагнитное поле, частота которого настолько велика, что движением самих атомов можно пренебречь. Мерой рассматриваемого отклика системы является диэлектрическая восприимчивость, имеющая вещественную и мнимую части, которые связаны между собой соотношениями Кра-мерса - Кронига, Величина мнимой части ( ответственной за поглощение) при любой энергии кванта ( равной произведению постоянной Планка на частоту) зависит от плотности занятых и свободных электронных состояний, расстояние между которыми равно энергии кванта, и от силы осциллятора, характеризующей связь этих состояний. Обе эти характеристики можно сразу же определить, как только будет найдена структура энергетических зон. Структура спектра поглощения непосредственно связана с параметрами из ОП СЭ. [4]
 |
Излучательная рекомбинация зона - зона в прямо-зонной полупроводнике. [5] |
Однако в ряде полупроводников благодаря особенностям зонной структуры порог отсутствует. [6]
Исследование селективного поглощения свободными носителями позволяет выявить особенности зонной структуры, рассчитать энергетическое расщепление подзон энергии и значения эффективных масс свободных носителей заряда. [8]
Исследование селективного поглощения свободными носителями позволяют выявить особенности зонной структуры, рассчитать энергетическое расщепление подзон энергии и значения эффективных масс свободных носителей заряда. [9]
Исследование селективного поглощения свободными носителями позволяет выявить особенности зонной структуры, рассчитать энергетическое расщепление подзон энергии и значения эффективных масс свободных носителей заряда. [11]
Одни авторы [2] связывают появление тетрагональ-ности с особенностями зонной структуры переходных металлов и возможностью образования дырок среди коллективизированных электронов. Зонная модель ферро - и антиферромагнетизма предполагает, что в фермиевском газе свободных электронов в определенных условиях устанавливается обменное взаимодействие, способствующее самопроизвольному намагничиванию. [12]
Рассмотрим сначала первую и пятую из отмеченных выше особенностей зонной структуры и возьмем ( подобно тому, как это делалось для ковалентных кристаллов) в качестве меры среднего расстояния между полосой проводимости и валентной полосой разность Ае средних уровней ес, е) этих полос ( см. разд. [13]
При больших напряжениях измеренный ток превышает рассчитанный, что можно объяснить особенностями зонной структуры сильнолегированного полупроводника [30-32] и появлением избыточного тока. [14]
В задаче о взаимодействии электрона с дыркой возникают некоторые осложнения, связанные с особенностями зонной структуры, симметрия которой влияет как на симметрию основного состояния биэкситона, так и на тонкую структуру энергетических уровней. [15]
Страницы: 1 2