Особенность - зонная структура
Cтраница 2
Мы уже указывали, что появление особенностей в спектре поглощения свободными носителями заряда соответствует особенностям зонной структуры: сложная структура валентной зоны приводит к селективному поглощению свободными дырками, а сложная структура зоны проводимости - к селективному поглощению свободными электронами. [16]
Изучению экситонного магнитопоглощения [39, 1971-1975] и маг-нитоосцилляционных эффектов поглощения [1976-1979] уделено значительное внимание, в связи с расшифровкой некоторых особенностей зонной структуры исследованных кристаллов. [17]
Хотя арсенид галлия по своим технологическим возможностям уступает кремнию, существует ряд приборов, которые могут быть изготовлены только на арсениде галлия, например генераторы Ганна. Это обусловлено особенностями зонной структуры, а также более высокой подвижностью электронов и большей шириной запрещенной зоны по сравнению с германием и кремнием. [18]
Подробное рассмотрение всех этих вопросов выходит за рамки настоящей книги. Поэтому мы лишь кратко укажем особенности зонной структуры некоторых полупроводников и рассмотрим, как они сказываются на виде вольтамперных характеристик туннельных диодов. [19]
 |
Средний атомный номер и ширина запрещенной зоны соединений тн па. [20] |
Следует отметить, что сульфид свинца лишь в моно - или поликристаллическом виде обладает положительным коэффициентом а; проведенные нами измерения пропускания полученной методом химического осаждения пленки толщиной 0 3 мк показали смещение края собственного поглощения в коротковолновую область при охлаждении до 77 К, хотя точка пересечения соответствующей прямым переходам линии ( / ( / zv) 2 / l ( / zv - Eg) с осью энергий фотонов по-прежнему отвечала Eg 1 1 эв; при этом кривая спектрального распределения фотопроводимости смещалась в длинноволновую область. Этот эффект может быть связан с поверхностными явлениями или с особенностями зонной структуры материала и требует дальнейшего изучения. [21]
В принципе, такая возможность существует. Для тет-раэдрических ковалентных полупроводников это с успехом продемонстрировано в [9], где, используя молекулярные параметры, удалось передать особенности зонной структуры ряда кристаллов. Однако для каждого конкретного класса твердых тел вопрос решается не столь просто. Для кристаллов типа алмаза и кремния существуют молекулярные аналоги ( системы с близким межатомным расстоянием и похожим характером химической связи) - углеводороды и силаны. К сожалению, для крдсталлов типа щелочно-галоидных пли окислов указанные аналоги отсутствуют. [22]
Неустойчивость зависит от характера взаимодействия между электронами. Особенности зонной структуры могут стабилизировать С. [23]
Удельное сопротивление р аморфных металлических сплавов при комнатной температуре составляет ( 1 - 2) - К) - 4 Ом-см, что в 2 - 3 раза превышает р соответствующих кристаллических сплавов. Это связано с особенностями зонной структуры аморфных металлов. В кристаллических металлах длина свободного пробега электрона составляет примерно 50 периодов решетки даже при Т, близкой к температуре плавления. Отсутствие дальнего порядка в металлических стеклах обусловливает малую длину свободного пробега, соизмеримую с межатомным расстоянием. Следствием этого является повышенное удельное сопротивление и слабая зависимость его от температуры. [24]
По результатам магнитопоглощения была обнаружена некоторая особенность зонной структуры, поскольку были найдены два отчетливых набора прямых переходов, как это видно на фиг. [25]
Следует отметить, что на энергетических диаграммах запрещенная зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости, изображается всегда с четко выраженными границами. Строго говоря, запрещенная зона с четкими границами является свойством лишь кристаллических тел, а мы в большинстве случаев будем рассматривать не кристаллические, а поликристаллические или даже аморфные диэлектрики. Однако можно показать, что большинство особенностей зонной структуры твердого тела определяется ближним порядком, поэтому основные свойства зонной структуры кристаллического состояния можно перенести на поликристаллическое состояние. Отсутствие дальнего порядка в некристаллических материалах вызывает размытие краев зоны проводимости и валентной зоны, так что энергетические зоны не являются четко выраженными. Но в первом приближении можно считать, что в диэлектрических пленках ширина запрещенной зоны строго определена и соответствует некоей средней величине реальной размытой энергетической зоны. [26]
Эта зона состоит только из орбиталей анионов. Зр-Орби - тали а - могут также перекрываться и образовывать зону, которая является зоной проводимости. Эта: юпа образована только орбиталями катионов. Особенность зонной структуры Nad заключается в том, что валентная зона состоит из орбиталей анионов, а зона проводимости-исключительно из орбиталей катионов. [27]
 |
Спектральное распределение эффективного квантового выхода Au - ra - Si-фотодиодов ( приведено к числу падающих фотонов. [28] |
Их слабая фоточувствительность в УФ области спектра связана с поглощением коротковолнового излучения вблизи поверхности кремния. Коэффициент поглощения в УФ области превышает 105 см-1, поэтому большинство фотогенерированных носителей рекомбинирует, не доходя до р - n - перехода. Поверхностные дефекты, возникающие при обработке и окислении поверхности, а также при диффузии, определяют высокую скорость поверхностной рекомбинации. На уменьшении фоточувствительности в УФ области сказывается также и рост коэффициента отражения, зависящего не только от особенностей зонной структуры полупроводника, но и от качества обработки поверхности. [29]
Исследование спектров отражения в области фундаментального поглощения является важнейшим методом изучения зонной структуры твердых тел. Энергетическое положение пиков отражения непосредственно определяет величины энергии прямых междузонных переходов в актуальных точках зоны Бриллюэна. Теоретические расчеты структуры зон по методу псевдопотенциала с использованием экспериментально найденных величин энергий важнейших переходов [1] позволили построить схемы зонных структур полупроводников групп IV, III-V во всей зоне Бриллюэна. Было показано, что полуэмпирический метод псевдопотенциала может быть применен также для расчета зонной структуры более сложных, некубических кристаллов, хотя при этом встречаются значительные трудности. В этой связи необходимо детальное экспериментальное исследование спектров отражения таких веществ. Кроме этого, сравнительное исследование спектров отражения гомологических групп кристаллов позволяет сделать некоторые выводы об особенностях зонной структуры и характере ее изменения в зависимости от химического состава, типа связи и кристаллической решетки. [30]
Страницы: 1 2